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제1폴리머 시트;상기 제1폴리머 시트 상에 배치된 탄소나노튜브 다발 층;상기 탄소나노튜브 다발 층 일단에 연결된 제1전극;상기 탄소나노튜브 다발 층 타단에 연결된 제2전극;상기 탄소나노튜브 다발 층을 덮도록 상기 제1폴리머 시트 상에 적층되는 제2폴리머 시트;를 포함하고,상기 탄소나노튜브 다발 층은,일정한 패턴을 형성하며 서로 이격된 복수의 탄소나노튜브 패턴들을 롤러로 눕혀, 서로 이웃한 탄소나노튜브 패턴들이 적어도 일부가 서로 오버랩되도록 형성시킨 탄소나노튜브 다발 층인 것을 특징으로 하는, 스트레인 센서
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제1항에 있어서,상기 제1폴리머 시트 및 제2폴리머 시트는, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen napthalate, PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate, PET), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리아릴렌에테르술폰(poly(aryleneether sulfone))으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스트레인 센서
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제1항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은, 금속, 그래핀(graphene) 또는 탄소나노튜브 기반 잉크로 형성되는 것을 특징으로 하는, 스트레인 센서
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기판 상에 수직 정렬된 복수의 탄소나노튜브 다발을 형성하는 단계;제1폴리머 시트가 부착된 롤러를 상기 탄소나노튜브 다발 위로 롤링 시켜 상기 탄소나노튜브 다발을 눕힘으로써 인접한 탄소나노튜브 다발들이 서로 오버랩되도록 하고, 이와 동시에 상기 눕혀진 탄소나노튜브 다발들이 상기 제1폴리머 시트에 전사되도록 하는 탄소나노튜브 다발 층을 형성하는 단계;상기 탄소나노튜브 다발 층이 형성된 상기 제1폴리머 시트에 전극을 형성시키는 단계; 및노출된 탄소나노튜브 다발 층을 폴리머로 덮어 제2폴리머 시트를 형성하는 단계;를 포함하는 스트레인 센서의 제조방법,
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제4항에 있어서,상기 탄소나노튜브 다발을 형성하는 단계는, 패턴 된 촉매를 이용해 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD)으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 스트레인 센서의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 패턴은, 선형 패턴 또는 지그재그 패턴인 것을 특징으로 하는, 스트레인 센서의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 기판은, 실리콘(Si), 산화규소(SiO2), 유리(glass) 및 사파이어(Al2O3)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 스트레인 센서의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 제1폴리머 시트 및 제2폴리머 시트는, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen napthalate, PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate, PET), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리아릴렌에테르술폰(poly(aryleneether sulfone))으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스트레인 센서의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 전극은, 금속, 그래핀(graphene) 또는 탄소나노튜브 기반 잉크로 형성되는 것을 특징으로 하는, 스트레인 센서의 제조 방법
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