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구동 신호를 이용하여 복수의 셀 중 PUF(physically unclonable function) 응답(response)을 생성한 셀(cell)을 선택하는 구동 선택부;상기 선택된 셀(cell)의 양 사이드(side)에서의 트랜지스터들 각각을 통해 출력된 전류(current)를 비교하여 임의의(random) 디지털 값(digital value)에 상응하는 CRP(challenge response pair)를 생성하는 CRP 생성부; 및상기 선택된 셀에 대응하여 상기 생성된 CRP(challenge response pair)가 서버에 등록되도록 제어하는 제어부를 포함하고,상기 양 사이드(side)에서의 트랜지스터들 각각은 드레인 단과 게이트 단이 연결된 다이오드 연결(diode-connected) 구조를 갖고,상기 구동 선택부는 상기 복수의 셀의 세로 방향으로 상기 양 사이드(side)에서의 트랜지스터들 각각과 소스 라인을 공유하는 액세스 트랜지스터를 포함하는메모리 기반 PUF 장치
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제1항에 있어서,상기 복수의 셀(cell)은 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ) 저항들의 변화(variation)에 기초하여 상기 PUF(physically unclonable function) 응답(response)을 생성하는메모리 기반 PUF 장치
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제2항에 있어서,상기 선택된 셀(cell)은 상기 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ) 저항들의 변화(variation)에 기초하여 상기 선택된 셀(cell)의 양 사이드(side)에서의 트랜지스터들 각각에 동일한 자기 터널 접합 상태(magnetic tunnel junction state)를 갖는 제1 신호 및 제2 신호를 각각 전달하는메모리 기반 PUF 장치
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제3항에 있어서,상기 선택된 셀(cell)은 상기 전달된 제1 신호와 상기 전달된 제2 신호의 차이에 기초하여 상기 출력된 전류(current)의 차이가 발생되는메모리 기반 PUF 장치
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제3항에 있어서,상기 전달된 제1 신호 또는 상기 전달된 제2 신호 중 상기 선택된 셀(cell)의 양 사이드(side)에서의 트랜지스터들 중 어느 하나를 통해 상대적으로 높은 전류를 출력하는 신호를 상위 응답(major response)으로 결정하는 상위 응답 결정부를 더 포함하는메모리 기반 PUF 장치
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제5항에 있어서,상기 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ) 저항들에 각각 연결된 제1 비트 라인 또는 제2 비트 라인을 이용하여 상기 복수의 셀(cell)에서 상기 결정된 상위 응답(major response)에 상응하는 신호의 자기 터널 접합 상태(magnetic tunnel junction state)를 변경하는 상태 변경부를 더 포함하는메모리 기반 PUF 장치
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제6항에 있어서,상기 제어부는 상기 복수의 셀(cell)을 안정 셀(stable cell)과 불안정 셀(unstable cell)로 구분하고,상기 불안정 셀(unstable cell)을 선택하는 보정 선택부를 더 포함하는메모리 기반 PUF 장치
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제7항에 있어서,상기 CRP 생성부는 상기 선택된 불안정 셀에서 상기 변경된 자기 터널 접합 상태(magnetic tunnel junction state)에 기초하여 상기 선택된 불안정 셀(unstable cell)의 양 사이드(side)에서의 트랜지스터들 각각을 통해 출력된 전류(current)를 비교하여 임의의(random) 디지털 값(digital value)에 상응하는 CRP(challenge response pair)를 생성하는메모리 기반 PUF 장치
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제1항에 있어서,상기 다이오드 연결(diode-connected) 구조는 상기 복수의 셀 중 상기 선택된 셀을 제외한 나머지 셀들에서 전류를 차단하는메모리 기반 PUF 장치
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자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ) 저항들의 변화(variation)에 기초하여 PUF(physically unclonable function) 응답(response)을 생성하는 복수의 셀(cell)을 포함하는 메모리 기반 PUF 장치의 동작 방법에 있어서,구동 선택부에서, 구동 신호를 이용하여 상기 복수의 셀 중 상기 응답(response)을 생성한 셀(cell)을 선택하는 단계;CRP 생성부에서, 상기 선택된 셀(cell)의 양 사이드(side)에 위치하고, 드레인 단과 게이트 단이 연결된 다이오드 연결(diode-connected) 구조를 갖는 트랜지스터들 각각을 통해 출력된 전류(current)를 비교하여 임의의(random) 디지털 값(digital value)에 상응하는 CRP(challenge response pair)를 생성하는 단계; 및제어부에서, 상기 선택된 셀에 대응하여 상기 생성된 CRP(challenge response pair)가 서버에 등록되도록 제어하는 단계를 포함하고,상기 구동 선택부는 상기 복수의 셀의 세로 방향으로 상기 양 사이드(side)에서의 트랜지스터들 각각과 소스 라인을 공유하는 액세스 트랜지스터를 포함하는메모리 기반 PUF 장치의 동작 방법
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제11항에 있어서,상기 선택된 셀(cell)은 상기 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ) 저항들의 변화(variation)에 기초하여 상기 선택된 셀(cell)의 양 사이드(side)에서의 트랜지스터들 각각에 동일한 자기 터널 접합 상태(magnetic tunnel junction state)를 갖는 제1 신호 및 제2 신호를 각각 전달하고, 상기 전달된 제1 신호와 상기 전달된 제2 신호의 차이에 기초하여 상기 출력된 전류(current)의 차이가 발생되는메모리 기반 PUF 장치의 동작 방법
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제12항에 있어서,상위 응답 결정부에서, 상기 전달된 제1 신호 또는 상기 전달된 제2 신호 중 상기 선택된 셀(cell)의 양 사이드(side)에서의 트랜지스터들 중 어느 하나를 통해 상대적으로 높은 전류를 출력하는 신호를 상위 응답(major response)으로 결정하는 단계; 및상태 변경부에서, 상기 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ) 저항들에 각각 연결된 제1 비트 라인 또는 제2 비트 라인을 이용하여 상기 복수의 셀(cell)에서 상기 결정된 상위 응답(major response)에 상응하는 신호의 자기 터널 접합 상태(magnetic tunnel junction state)를 변경하는 단계를 더 포함하는메모리 기반 PUF 장치의 동작 방법
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제13항에 있어서,상기 제어부에서, 상기 복수의 셀(cell)을 안정 셀(stable cell)과 불안정 셀(unstable cell)로 구분하는 단계;보정 선택부에서, 상기 불안정 셀(unstable cell)을 선택하는 단계; 및상기 CRP 생성부에서, 상기 선택된 불안정 셀에서 상기 변경된 자기 터널 접합 상태(magnetic tunnel junction state)에 기초하여 상기 선택된 불안정 셀(unstable cell)의 양 사이드(side)에서의 트랜지스터들 각각을 통해 출력된 전류(current)를 비교하여 임의의(random) 디지털 값(digital value)에 상응하는 CRP(challenge response pair)를 생성하는 단계를 더 포함하는메모리 기반 PUF 장치의 동작 방법
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