| 1 |
1
블록 공중합체 사용을 통해 양자점(Quantum Dot, QD)을 둘러싸는 마이셀 고분자 보호막을 제조하는 방법에 있어서,양자점을 준비하는 단계;블록 공중합체의 제1 반복 단위 및 제2 반복 단위 구성의 상호 작용 차이로 인해 형성되는 블록 공중합체 교질 입자를 활용하여 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막을 형성하는 단계; 및제1 용매를 이용하여 상기 제1 반복 단위 및 상기 제2 반복 단위와 상기 양자점을 녹인 후, 제2 용매를 이용하여 상기 제1 반복 단위 및 상기 제2 반복 단위의 용매 조성을 바꿔주어 상기 양자점을 둘러싸는 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막을 제조하는 단계를 포함하는 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막을 형성하는 단계는블록 공중합체의 상기 제1 반복 단위 및 상기 제2 반복 단위의 구성을 녹는 용매의 성향을 다르게 하여 상기 제1 용매 및 상기 제2 용매와의 상호 작용 차이로 인해 상기 블록 공중합체 교질 입자를 형성하고, 상기 블록 공중합체 교질 입자를 활용하여 용매 변화를 통해 상기 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막을 형성하는, 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 제1 반복 단위는 말단에 이중결합 또는 삼중결합을 포함하는 작용기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 제1 반복 단위는 말단에 비닐벤젠, 나이트릴기(-CN) 및 이들의 유도체 중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 5 |
5
제2항에 있어서,상기 제2 반복 단위는 상기 양자점과 화학 결합할 수 있도록 O, N, P 및 S에서 선택되는 헤테로 원자를 포함하는 작용기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 제2 반복 단위는 피리딘(pyridine), 바이피리딘(bipyridine) 및 이들의 유도체 중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제1 반복 단위는 상기 제2 반복 단위보다 길이가 길며, 소수성으로 상기 양자점의 소수성인 유기 리간드(ligand)와 상호 작용하는 것을 특징으로 하는, 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 제2 반복 단위는 상기 제1 반복 단위보다 길이가 짧으며, 친수성으로 상기 양자점과 상호 작용이 적은 것을 특징으로 하는, 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 9 |
9
제2항에 있어서,상기 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막을 제조하는 단계는상기 제1 용매를 이용하여 상기 제1 반복 단위 및 상기 제2 반복 단위 모두와 상기 양자점을 녹인 후, 상기 제2 용매를 이용하여 상기 제1 반복 단위 및 상기 제2 반복 단위 중 어느 하나의 반복 단위에 대한 용매 조성을 바꿔주어 상기 양자점을 둘러싸는 상기 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막을 제조하는 것을 특징으로 하는, 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 양자점은 상기 제1 용매에서 용매화되나, 상기 제2 용매에서 응집되어 상기 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막 내에 위치하는 것을 특징으로 하는, 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 제1 용매는 클로로포름(chloroform)이며, 상기 제2 용매는 디메틸 포름아미드(Dimethylformamide, DMF)인 것을 특징으로 하는, 양자점을 포함하는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법
|
| 12 |
12
블록 공중합체로 형성된 마이셀 고분자 보호막으로 둘러싸인 양자점 (Quantum Dot, QD)에 있어서,빛을 내는 코어(Core) 및 양자 구속효과를 촉진하는 쉘(Shell)을 감싸도록 형성된 유기 리간드(ligand); 및서로 다른 특성을 가지는 고분자의 용매 변화를 통해서 형성된 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 양자점
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 블록 공중합체는제1 반복 단위 및 제2 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막은상기 제1 반복 단위 및 상기 제2 반복 단위의 서로 다른 특성을 가지는 고분자를 사용하여 용매 변화를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는, 양자점
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막은클로로포름(chloroform)의 제1 용매를 통해 상기 제1 반복 단위 및 상기 제2 반복 단위와 상기 양자점이 녹은 후, 디메틸 포름아미드(Dimethylformamide, DMF)의 제2 용매를 통해 상기 제1 반복 단위 및 상기 제2 반복 단위 중 어느 하나의 반복 단위가 녹는 용매 변화를 통해서 형성되는 것을 특징으로 하는, 양자점
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 양자점은 상기 클로로포름(chloroform)에서 용매화되나, 상기 디메틸 포름아미드(Dimethylformamide, DMF)에서 응집되어 상기 블록 공중합체 마이셀 고분자 보호막 내에 위치하는 것을 특징으로 하는, 양자점
|
| 17 |
17
제12항에 있어서,상기 양자점은인화 인듐(InP)의 상기 코어 및 황화 아연(ZnS)의 상기 쉘을 포함하며, 상기 코어 및 상기 쉘을 감싸도록 형성된 상기 유기 리간드로 형성되는, 양자점
|
