맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화 갈륨의 표면 처리 방법

  • 기술번호 : KST2020012294
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화 갈륨의 표면 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 산화 갈륨막을 식각하는 단계; 및 식각된 상기 산화 갈륨막 상에 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 용액을 이용한 세정 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02343(2013.01) H01L 21/02343(2013.01) H01L 21/02343(2013.01) H01L 21/02343(2013.01) H01L 21/02343(2013.01) H01L 21/02343(2013.01) H01L 21/02343(2013.01) H01L 21/02343(2013.01) H01L 21/02343(2013.01)
출원번호/일자 1020190020735 (2019.02.21)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0102617 (2020.09.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.23)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최철종 전북 전주시 덕진구
2 심규환 전북 전주시 덕진구
3 이훈기 전북 전주시 덕진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0187256-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-1084331-37
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2020-0015487-98
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2020.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-0610564-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0666792-93
12 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-1294763-86
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화 갈륨막을 식각하는 단계; 및식각된 상기 산화 갈륨막 상에 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 용액을 이용한 세정 공정을 수행하는 단계를 포함하는 산화 갈륨의 표면 처리 방법
2 2
제1항에 있어서,식각된 상기 산화 갈륨막의 표면은 불순물을 함유하는 돌출부들을 포함하고,상기 세정 공정 동안, 상기 돌출부들이 선택적으로 제거되는 표면 처리 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 산화 갈륨막을 식각하는 단계는, 삼염화붕소를 포함하는 식각 기체를 이용하고,상기 불순물은 붕소 산화물을 포함하는 표면 처리 방법
4 4
제1항에 있어서,세정된 상기 산화 갈륨막의 표면은 1nm 이하의 표면 거칠기를 갖는 표면 처리 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 용액은 20 wt% 내지 30 wt%의 농도를 갖는 표면 처리 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 용액은 80℃ 내지 90℃의 온도를 갖는 표면 처리 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 세정 공정은 1분 내지 10분동안 수행되는 표면 처리 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 산화 갈륨막을 식각하는 단계 전에, 상기 산화 갈륨막의 표면을 전처리하는 단계를 더 포함하는 표면 처리 방법
9 9
제1항에 있어서,기판 상에 상기 산화 갈륨막을 형성하는 단계를 더 포함하는 표면 처리 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 산화 갈륨막은 산화 갈륨 웨이퍼인 표면 처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 전북대학교 중견연구자지원사업 가시광선과 적외선 동시 검출을 위한 Ge on Si 에피 성장 기술 개발의 다중 파장 광 검출기 개발
2 교육과학기술부 사회맞춤형 산학협력선도대학(LINC+)육성사업단 산학공동연구개발과제 신재생 에너지 向 G2O3 기반 전력 반도체 핵심 요소 기술 개발