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유연한 절연성 기판;상기 기판의 일면에 서로 이격 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극부; 및일단은 상기 제1 전극에 연결되고, 타단은 상기 제2 전극에 연결되며, 변형에 의해 전기적 저항이 변하는 감지부를 포함하며,상기 감지부는,상기 기판의 일면에 기 설정된 간격으로 이격되어 길이 방향으로 형성되며, 외부에서 가해지는 스트레스에 대해 서로 다른 저항 정도를 가지는 복수의 저항체; 및상기 복수의 저항체 사이를 전기적으로 연결하도록 상기 복수의 저항체 사이를 각각 연결하는 복수의 연결체를 포함하고,상기 감지부는,상기 스트레스에 대해 제1 저항 정도를 가지는 제1 저항체가 형성되는 제1 감지영역; 및상기 스트레스에 대해 상기 제1 저항 정도 보다 낮은 저항 정도인 제2 저항 정도를 가지는 제2 저항체가 형성되는 제2 감지영역을 포함하고,상기 제1 감지 영역은 상기 기판의 중앙부에 형성되고, 상기 제2 감지 영역은, 상기 제1 감지 영역을 기준으로 상기 제1 감지 영역의 좌측 및 우측에 각각 형성되는, 스트레인 게이지
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청구항 1에 있어서,상기 감지부는,용액 공정 기반의 인쇄 전자 기술에 의해 상기 기판의 일면에 증착되어 형성되며,상기 용액은,탄소나노튜브(CNT)와 메탈 나노 분말를 페이스트(paste)의 형태로 혼합한 혼합물인, 스트레인 게이지
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청구항 1에 있어서,상기 제1 저항체와 상기 제2 저항체는 두께가 동일하게 형성되고, 상기 제1 저항체의 선폭 보다 상기 제2 저항체의 선폭이 좁게 형성되는, 스트레인 게이지
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청구항 1에 있어서,상기 제1 저항체와 상기 제2 저항체는 선폭이 동일하게 형성되고,상기 제1 저항체의 두께 보다 상기 제2 저항체의 두께가 얇게 형성되는, 스트레인 게이지
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청구항 1에 있어서,상기 전극부는, 상기 제2 저항체의 변형에 따라 제1 변형 감지 신호를 발생시키고, 상기 제1 변형 감지 신호의 발생 이후에 상기 제1 저항체의 변형에 따라 제2 변형 감지 신호를 발생시키는, 스트레인 게이지
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유연한 절연성 기판, 상기 기판의 일면에 서로 이격 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극부, 일단은 상기 제1 전극에 연결되고 타단은 상기 제2 전극에 연결되며 변형에 의해 전기적 저항이 변하는 감지부를 포함하는 스트레인 게이지; 및상기 전극부와 연결되어 상기 감지부로부터 변형 감지신호를 수신하고 상기 변형 감지신호를 외부로 전송하는 통신 유닛을 포함하며,상기 감지부는,상기 기판의 일면에 기 설정된 간격으로 이격되어 길이 방향으로 형성되며, 외부에서 가해지는 스트레스에 대해 서로 다른 저항 정도를 가지는 복수의 저항체; 및상기 복수의 저항체 사이를 전기적으로 연결하도록 상기 복수의 저항체 사이를 각각 연결하는 복수의 연결체를 포함하고,상기 감지부는,상기 스트레스에 대해 제1 저항 정도를 가지는 제1 저항체가 형성되는 제1 감지영역; 및상기 스트레스에 대해 상기 제1 저항 정도 보다 낮은 저항 정도인 제2 저항 정도를 가지는 제2 저항체가 형성되는 제2 감지영역을 포함하고,상기 제1 감지 영역은 상기 기판의 중앙부에 형성되고, 상기 제2 감지 영역은, 상기 제1 감지 영역을 기준으로 상기 제1 감지 영역의 좌측 및 우측에 각각 형성되는, 스트레인 센서
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청구항 8에 있어서,상기 제1 저항체와 상기 제2 저항체는 두께가 동일하게 형성되고, 상기 제1 저항체의 선폭 보다 상기 제2 저항체의 선폭이 좁게 형성되는, 스트레인 센서
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청구항 9에 있어서,상기 통신 유닛은,상기 제1 감지 영역의 좌측 및 우측에 각각 형성된 제2 감지 영역 중 변형이 발생된 영역에 따라 스트레스의 발생 방향을 판단하는, 스트레인 센서
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11
청구항 9에 있어서,상기 전극부는, 상기 제2 저항체의 변형에 따라 제1 변형 감지 신호를 발생시키고, 상기 제1 변형 감지 신호의 발생 이후에 상기 제1 저항체의 변형에 따라 제2 변형 감지 신호를 발생시키는, 스트레인 센서
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청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 하나의 항에 기재된 스트레인 센서를 이용한 스트레인 측정 방법으로서, 상기 통신 유닛이 상기 스트레인 게이지로부터 제1 변형 감지 신호를 수신하는 동작;상기 통신 유닛이 상기 스트레인 게이지로부터 제2 변형 감지 신호를 수신하는 동작을 포함하고, 상기 제1 변형 감지 신호는 상기 제2 변형 감지 신호보다 외부에서 가해지는 스트레스 정도가 낮을 때 발생하는, 스트레인 측정 방법
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