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시냅스 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020012365
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 시냅스 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 게이트 전극층; 상기 게이트 전극층상에 위치하는 유전체층; 상기 유전체층상에 위치하며, 알루미늄(Al) 나노 입자 및 산화물반도체를 포함하는 채널층; 및 상기 유전체층 및 채널층과 접하도록 위치하며, 서로 이격되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극; 을 포함하는 시냅스 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020190014668 (2019.02.08)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0103139 (2020.09.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김지훈 충청북도 청주시 서원구
2 김태현 경기도 수원시 권선구
3 조병진 충청북도 청주시 서원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인위더피플 대한민국 서울특별시 서대문구 경기대로 **, 진양빌딩 *층(충정로*가)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0132043-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.09.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.11.07 수리 (Accepted) 9-1-2019-0049549-47
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0424770-80
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0886208-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.08.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0886209-54
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2020.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2020-1044052-91
9 등록결정서
Decision to grant		 2020.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0715168-51
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번호 청구항
1 1
게이트 전극층;상기 게이트 전극층상에 위치하는 유전체층;상기 유전체층상에 위치하며, 알루미늄(Al) 나노 입자 및 산화물반도체를 포함하는 채널층; 및상기 유전체층 및 채널층과 접하도록 위치하며, 서로 이격되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극; 을 포함하고, 상기 산화물반도체 및 상기 알루미늄(Al) 나노 입자는 상기 유전체와 접하도록 위치하고,상기 알루미늄 나노입자의 두께는 2 내지 8 nm인 것을 특징으로 하는 것인, 시냅스 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 알루미늄(Al) 나노 입자는 평균 20 내지 50 nm의 장반경을 갖는 것을 특징으로 하는 시냅스 트랜지스터
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 산화물반도체는 20 내지 50 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 시냅스 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)인 것을 특징으로 하는 시냅스 트랜지스터
7 7
게이트 전극층을 준비하는 단계;상기 게이트 전극층 상에 유전체층을 형성하는 단계;상기 유전체층상에 알루미늄(Al)을 2 내지 8 nm의 두께로 증착 하여 알루미늄(Al) 나노 입자를 형성하는 단계;상기 알루미늄(Al) 나노 입자상에 산화물반도체 박막을 형성한 후, 포토리소그라피 공정을 통해 알루미늄(Al) 나노 입자 및 산화물반도체를 포함하는 채널층을 형성하는 단계; 및상기 채널층과 접하면서 서로 이격되도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 시냅스 트랜지스터의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서,상기 산화물반도체 박막은 20 내지 50 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 시냅스 트랜지스터의 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 산화물 반도체는 IGZO(Indium gallium zinc oxide)인 것을 특징으로 하는 시냅스 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 충북대학교 산학협력단 신진연구 2차원 나노소재 기반의 저전력 트랜지스터 시냅스 소자개발