| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,X는 인듐(In) 또는 갈륨(Ga)이고,Y는 염소(Cl) 또는 아이오딘(I)이며,R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 메틸기, 프로필기 또는 탄소 원자수 2 내지 10인 알킬기이다
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 전구체 화합물은 하기 화학식 2 내지 4로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물
|
| 3 |
3
구리전구체 및 황화 유기물을 수용액상에서 반응시켜 구리 착화합물을 형성하는 단계;하기 화학식 5로 표시되는 금속 할로겐화물을 유기용매에 녹여 반응 용액을 제조하는 단계; 및상기 구리 착화합물과 반응 용액을 혼합하는 단계;를 포함하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 구리 전구체는 염화구리(CuCl2)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,상기 황화 유기물은 하기 화학식 6 또는 화학식 7으로 표시되는 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
| 6 |
6
제3항에 있어서,상기 황화 유기물은 다이에틸다이싸이오카바메이트(C5H10NS2)인 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 구리착화합물을 형성하는 단계에서, 구리전구체 및 다이에틸다이싸이오카바메이트(C5H10NS2)는 1:2의 몰비율로 반응하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
| 8 |
8
제3항에 있어서,상기 금속 할로겐화물은 InI3, InCl3 및 GaCl3 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
| 9 |
9
제3항에 있어서,상기 유기용매는 벤젠, 아세톤 및 메틸렌클로라이드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
| 10 |
10
제3항에 있어서,상기 혼합하는 단계에서, 상기 금속 할로겐화물 및 구리착화합물은 1:1의 몰비율로 반응하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
| 11 |
11
제3항에 있어서,상기 혼합하는 단계는, 15 내지 25℃에서 10시간 이상 24시간 이하로 수행되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
| 12 |
12
제3항에 있어서,상기 혼합하는 단계 후에, 제조된 전구체 화합물을 유기용매에 용해시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 유기용매는 메틸렌클로라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 광활성층 제조용 전구체 화합물 제조 방법
|
