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금속이 담지된 촉매의 제조 방법으로서,탄소(C) 담지체를 반응기에 공급하는 단계;상기 반응기에 공급된 탄소 담지체를 전처리하는 단계; 및금속 전구체(Metal Precursor)를 상기 반응기에 공급함으로써 상기 전처리된 탄소 담지체에 상기 금속 전구체를 증착시키는 단계;를 포함하고,상기 탄소 담지체를 전처리하는 단계는, 상기 탄소 담지체를 사염화티타늄(TiCl4), 사염화규소(SiCl4) 및 사염화탄소(CCl4) 중 어느 하나에 노출시키는 것을 포함하는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 탄소 담지체를 반응기에 공급하는 단계에서, 상기 탄소 담지체가 로딩된 상기 반응기의 내부 압력은 10-10 Torr 내지 1 Torr로 유지되는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 탄소 담지체를 반응기에 공급하는 단계에서, 상기 탄소 담지체는 카본 블랙(Carbon black)을 포함하는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 전처리하는 단계는, 상기 탄소 담지체가 10 분(min) 내지 20 분 동안 사염화티타늄(TiCl4), 사염화규소(SiCl4) 및 사염화탄소(CCl4) 중 어느 하나에 노출되는 것을 포함하는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 전처리하는 단계는, 상기 반응기를 가열하는 것을 포함하는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 전처리하는 단계에서, 상기 반응기의 내부 온도는 200 ℃ 내지 400 ℃인, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 전처리하는 단계에서, 상기 반응기의 내부 온도는 30 분(min) 내지 3 시간 동안 유지되는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 전구체를 증착시키는 단계에서,상기 금속 전구체는 백금 전구체(Pt Precursor)를 포함하는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 전구체를 증착시키는 단계 후에, 상기 금속 전구체를 금속으로 치환시키는 단계를 더 포함하는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 전구체를 증착시키는 단계는,원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방법을 이용하여 수행되는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 10항에 있어서,상기 원자층 증착 방법은, 상기 탄소 담지체에 금속 전구체를 공급하는 제1 단계; 불활성 기체로 퍼징(Purging)하는 제2 단계; 금속 전구체(Metal Precursor)를 금속(Metal)으로 치환시키기 위한 반응 기체를 공급하는 제3 단계; 및불활성 기체로 퍼징하는 제4 단계;를 포함하는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 제1 단계 내지 제4 단계를 순차적으로 진행하는 것을 하나의 사이클(Cycle)로 설정하여 반복 수행되는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 사이클은 1회 내지 20회 반복하여 수행되는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 제3 단계에서 공급되는 반응 기체는, 산소(O2), 오존(O3) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 반응기는 회전 부재를 더 포함하고,상기 제1 단계 내지 제4 단계가 진행되는 동안 상기 회전 부재가 구동되는, 금속 담지 촉매의 제조 방법
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제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 금속 담지 촉매
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