| 1 |
1
p형 반도체층과 상기 p형 반도체층 상에 형성된 n형 반도체층을 포함하는 p-n 접합 반도체층; 및상기 n형 반도체층 상에 형성된 투명전극층을 포함하고,상기 투명전극층은 입사되는 빛의 파장을 변환시키는 나노형광체를 포함하는 태양전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 나노형광체는 400nm 이하의 자외선에서 여기되어 400 내지 800nm 가시광선 대역에서 발광하는 것인 태양전지
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 나노형광체는 100nm 이하의 두께를 갖는 것인 태양전지
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 나노형광체는 ZnO:Pr, Zn2SiO4:Eu3+,Tb, Zn2SiO4:Ce,Li, SrTiO3:Pr,Al, Ca1-xSrxTiO3:Pr(0
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 ZnO:Pr 물질에서 상기 Pr은 전체에 대해 0
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 SrTiO3:Pr,Al 물질에서 상기 Pr은 전체에 대해 0
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 투명전극층은 n형 도핑된 ZnO:Al 물질로 형성된 것인 태양전지
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 n형 도핑된 ZnO:Al 물질에서 Al은 1at% 내지 2at%의 범위를 갖는 것인 태양전지
|
| 9 |
9
400nm 이하의 자외선에서 여기되어 400 내지 800nm 가시광선 대역에서 발광하는 나노형광체를 형성하는 단계;상기 나노형광체가 함유되도록 투명전극층을 형성하는 단계; 및상기 투명전극층을 p형 반도체층과 상기 p형 반도체층 상에 형성된 n형 반도체층을 포함하는 p-n 접합 반도체층 상에 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 나노형광체를 형성하는 단계는,상기 나노형광체 입자 표면에 투명절연물질을 코팅하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 나노형광체는 ZnO:Pr, Zn2SiO4:Eu3+,Tb, Zn2SiO4:Ce,Li, SrTiO3:Pr,Al, Ca1-xSrxTiO3:Pr(0
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 SrTiO3:Pr,Al 물질에서 상기 Pr은 전체에 대해 0
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,상기 투명전극층은 n형 도핑된 ZnO:Al 물질로 형성된 것인 태양전지 제조방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 n형 도핑된 ZnO:Al 물질에서 Al은 1at% 내지 2at%의 범위를 갖는 것인 태양전지 제조방법
|
| 15 |
15
제9항에 있어서, 상기 p-n 접합 반도체층 상에 상기 투명전극층을 형성하는 단계에서,상기 투명전극층은 상기 p-n 접합 반도체층 상에 스핀 코팅을 통해 100nm 이하의 두께를 갖도록 형성되는 것인 태양전지 제조방법
|
