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Si실리콘 웨이퍼(10)의 상면에 공기와의 반응에 의해 형성되는 이산화규소(SiO2)층(20) 상부로 감광물질을 음성감광제(negative photoresist) 처리하여 감광물질층(30)을 형성하는 단계(S10)와,반도체 포토장비를 이용하여, 제작하고자 하는 전극 형상과 동일 형상의 마스크판(100)을 상기 감광물질층(30) 상부로 소정의 간격을 두어 위치시키는 단계(S20)와,상기 반도체 포토장비를 이용하여, 상기 마스크판(100) 상부에서 감광물질층(30) 방향으로 빛을 쏘아 노광처리함으로써, 상기 마스크판(100)에 의해 마스크처리된 부분의 감광물질을 제외한 나머지 부분의 감광물질을 경화시키는 단계(S30)와,노광처리를 거친 Si실리콘 웨이퍼를 현상(develop)하여, 상기 마스크처리에 의해 비경화된 부분의 액상 감광물질을 제거하는 단계(S40)와,감광물질이 경화되어 형성된 감광물질층(30)과, 상기 단계(S40)를 거쳐 액상 감광물질이 제거됨으로써 상기 감광물질층(30)의 일부에 형성되는 홈(301)을 포함하여 전면에 크롬(Cr)을 증착하여 크롬접착층(40)을 형성하는 단계(S50)와,상기 크롬접착층(40)의 상부로 금(Au)을 증착하여 전극층(50)을 형성하는 단계(S60)와,리프트 오프(Lift off)를 통해 감광물질층(30)을 포함하는 비사용부를 제거하는 단계(S70)와,상기 단계(S70)를 거쳐 남은, Si실리콘 웨이퍼(10), 이산화규소(SiO2)층(30), 크롬접착층(40) 및 전극층(50)이 순차적으로 적층형성되어 일체를 이루는 센서부의 상부로 센서막 기능을 갖는 산화알루미늄(Al2O3)을 증착하여 산화알루미늄(Al2O3)막층(60)을 형성하는 단계(S80)와,상기 산화알루미늄(Al2O3)막층(60)이 형성되어 있는 전극층(50)의 둘레로 상온경화형 실리콘을 이용하여 용기 형상의 리저버(reservoir)(70)를 형성하는 단계(S90)를 포함하여 구성되는 것에 있어서,상기 산화알루미늄(Al2O3)막층(60)은 전자빔(E-beam)을 이용하여 산화알루미늄(Al2O3)을 10
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청구항 1의 제조방법으로 제조된 것으로서,Si실리콘 웨이퍼(10)와,상기 Si실리콘 웨이퍼(10)의 표면과 공기와의 반응에 의해 형성되는 이산화규소층(SiO2)(20)과,상기 이산화규소층(SiO2)(20) 상부에 형성되는 전극층(50)과,상기 전극층(50) 상부로 상부에 형성되는 산화알루미늄(Al2O3)막층(60)과,상기 산화알루미늄(Al2O3)막층(60) 상부에 형성되되, 상기 전극층(50)의 둘레에 형성되어 용기형상을 이루는 리저버(reservoir)(70)를 포함하여 pH센서(1)를 구성하는 것에 있어서,상기 산화알루미늄(Al2O3)막층(60)은 전자빔(E-beam)을 이용하여 산화알루미늄(Al2O3)을 10
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