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멀티비트의 디지털 전압을 복수의 아날로그 전압으로 변환하여 복수의 비트라인에 상기 변환된 복수의 아날로그 전압을 각각 프리차지하는 아날로그 변환부;상기 복수의 비트라인에 각각 연결되고, 웨이트(weight)가 각각 저장된 복수의 메모리셀과 서로 다른 비율로 미리 결정된 복수의 커패시터를 포함하고, 상기 복수의 커패시터 각각은 상기 복수의 비트라인에 각각 연결되며, 워드 라인에 입력에 따라 상기 각각 저장된 웨이트(weight)와 상기 각각 프리차지된 아날로그 전압을 결합하여 상기 복수의 비트라인을 통해 결합 결과를 각각 출력하는 메모리 어레이부; 및상기 복수의 비트라인에 각각 연결된 스위치를 제어하여 상기 서로 다른 비율의 합이 반영된 결합 결과를 가산하는 가산부를 포함하는CIM(Computation In Memory) 장치
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제1항에 있어서,상기 메모리 어레이부는 상기 복수의 커패시터의 서로 다른 비율에 기초하여 상기 각각 저장된 웨이트(weight)의 최상위 비트(most significant bit, MSB)와 최하위 비트(least significant bit, LSB)를 구분하는 CIM(Computation In Memory) 장치
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제1항에 있어서,상기 아날로그 변환부는 상기 멀티비트의 디지털 전압을 상기 복수의 비트라인 개수 또는 상기 복수의 메모리셀 개수에 기초하여 동일한 간격을 갖는 복수의 아날로그 전압으로 변환하는CIM(Computation In Memory) 장치
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제1항에 있어서,상기 복수의 커패시터의 비율은 상기 복수의 비트라인과 각각 연결되는 선의 길이 차이 또는 상기 복수의 커패시터를 형성하는 금속물질 종류의 차이에 기초하여 상기 서로 다른 비율의 2의 제곱 값으로 미리 결정되는CIM(Computation In Memory) 장치
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제1항에 있어서,상기 메모리 어레이부는 상기 워드 라인을 통해 구동 전압이 인가될 시 상기 복수의 메모리셀 중 어느 하나에 저장된 웨이트(weight)가 로우 상태일 경우, 상기 복수의 메모리셀 중 어느 하나에 연결된 비트라인을 통해 상기 프리차지된 아날로그 전압을 디스차지하는CIM(Computation In Memory) 장치
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제5항에 있어서,상기 메모리 어레이부는 상기 복수의 메모리셀 중 어느 하나에 연결된 비트라인을 통해 상기 프리차지된 아날로그 전압을 디스차지하여 상기 결합 결과를 로우 상태로 출력하는CIM(Computation In Memory) 장치
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제1항에 있어서,상기 메모리 어레이부는 상기 워드 라인을 통해 구동 전압이 인가될 시 상기 복수의 메모리셀 중 어느 하나에 저장된 웨이트(weight)가 하이 상태일 경우, 상기 복수의 메모리셀 중 어느 하나에 연결된 비트라인에 프리차지된 아날로그 전압을 유지하는CIM(Computation In Memory) 장치
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제7항에 있어서,상기 메모리 어레이부는 상기 복수의 메모리셀 중 어느 하나에 연결된 비트라인에 프리차지된 아날로그 전압을 유지하여 상기 결합 결과를 상기 유지된 아날로그 전압으로 출력하는CIM(Computation In Memory) 장치
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제1항에 있어서,상기 가산부는 상기 복수의 비트라인에 각각 연결된 스위치를 연결하여 상기 서로 다른 비율의 합에 상기 서로 다른 비율의 합과 상기 가산된 결합 결과의 비율을 반영하여 상기 각각 프리차지된 아날로그 전압의 전하량을 보존하는 CIM(Computation In Memory) 장치
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제1항에 있어서,상기 가산부는 상기 복수의 비트라인에 각각 연결된 스위치를 연결하여 상기 복수의 비트라인의 전하를 공유하여 상기 각각 프리차지된 아날로그 전압의 전하량을 보존하는 CIM(Computation In Memory) 장치
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제1항에 있어서,상기 가산된 결합 결과를 디지털 값으로 변환하는 디지털 변환부를 더 포함하는CIM(Computation In Memory) 장치
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아날로그 변환부에서, 멀티비트의 디지털 전압을 복수의 아날로그 전압으로 변환하여 복수의 비트라인에 상기 변환된 복수의 아날로그 전압을 각각 프리차지하는 단계;상기 복수의 비트라인에 각각 연결되고, 웨이트(weight)가 각각 저장된 복수의 메모리셀과 서로 다른 비율로 미리 결정된 복수의 커패시터를 포함하고, 상기 복수의 커패시터 각각은 상기 복수의 비트라인에 각각 연결되는 메모리 어레이부에서, 워드 라인에 입력에 따라 상기 각각 저장된 웨이트(weight)와 상기 각각 프리차지된 아날로그 전압을 결합하여 상기 복수의 비트라인을 통해 결합 결과를 각각 출력하는 단계; 및가산부에서, 상기 복수의 비트라인에 각각 연결된 스위치를 제어하여 상기 서로 다른 비율의 합이 반영된 결합 결과를 가산하는 단계를 포함하는CIM(Computation In Memory) 장치의 동작 방법
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제12항에 있어서,상기 워드 라인에 입력에 따라 상기 각각 저장된 웨이트(weight)와 상기 각각 프리차지된 아날로그 전압을 결합하여 상기 복수의 비트라인을 통해 결합 결과를 각각 출력하는 단계는,상기 복수의 커패시터의 서로 다른 비율에 기초하여 상기 각각 저장된 웨이트(weight)의 최상위 비트(most significant bit, MSB)와 최하위 비트(least significant bit, LSB)를 구분하는 CIM(Computation In Memory) 장치의 동작 방법
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제12항에 있어서,상기 워드 라인에 입력에 따라 상기 각각 저장된 웨이트(weight)와 상기 각각 프리차지된 아날로그 전압을 결합하여 상기 복수의 비트라인을 통해 결합 결과를 각각 출력하는 단계는,상기 워드 라인을 통해 구동 전압이 인가될 시 상기 복수의 메모리셀 중 어느 하나에 저장된 웨이트(weight)가 로우 상태일 경우, 상기 복수의 메모리셀 중 어느 하나에 연결된 비트라인을 통해 상기 프리차지된 아날로그 전압을 디스차지하여 상기 결합 결과를 로우 상태로 출력하는 단계; 및상기 메모리 어레이부는 상기 워드 라인을 통해 구동 전압이 인가될 시 상기 복수의 메모리셀 중 어느 하나에 저장된 웨이트(weight)가 하이 상태일 경우, 상기 복수의 메모리셀 중 어느 하나에 연결된 비트라인에 프리차지된 아날로그 전압을 유지하여 상기 결합 결과를 상기 유지된 아날로그 전압으로 출력하는 단계를 포함하는CIM(Computation In Memory) 장치의 동작 방법
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