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기판;상기 기판 상에 형성되고 이격 배치되는 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 형성되며, 다수의 나노 입자를 포함하는 나노 입자층과, 상기 나노 입자층 상부 중 일부가 노출되도록 상기 나노 입자층 상부에 부분적으로 분포되는 촉매를 포함하는 감지막을 포함하고,상기 나노 입자층과 상기 촉매는 서로 다른 층에 형성되고,상기 감지막의 두께는 상기 소스 및 드레인 전극 보다 얇게 형성되는이소프렌 감지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 다수의 나노 입자는 SiO2, WO3, SnO2, TiO2, ZnO, CuO, NiO, CoO, In2O3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는이소프렌 감지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 촉매는팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg) 및 바나듐(V)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 금속을 포함하는이소프렌 감지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 감지막은이소프렌의 농도에 따라 달라지는 전도성의 차이를 이용하여 상기 이소프렌을 감지하는이소프렌 감지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 촉매는상기 감지막에 이소프렌이 노출되면 상기 나노 입자층의 전도대를 낮추는이소프렌 감지 센서
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호기 가스에서 이소프렌을 분리하는 가스 크로마토그래피 컬럼;상기 가스 크로마토그래피 컬럼에서 분리된 이소프렌을 감지하는 이소프렌 감지 센서; 및상기 이소프렌 감지 센서에서 감지된 값으로부터 이소프렌의 농도를 측정하는 판단부를 포함하고,상기 이소프렌 감지 센서는 기판과, 상기 기판 상에 형성되고 이격 배치되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 형성되며 다수의 나노 입자를 포함하는 나노 입자층과, 상기 나노 입자층 상부 중 일부가 노출되도록 상기 나노 입자층 상부에 부분적으로 분포되는 촉매를 포함하는 감지막을 포함하고,상기 나노 입자층과 상기 촉매는 서로 다른 층에 형성되고,상기 감지막의 두께는 상기 소스 및 드레인 전극 보다 얇게 형성되는이소프렌 감지 장치
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제 7 항에 있어서,상기 판단부는 측정된 이소프렌의 농도를 이용하여 호기 가스를 배출한 사용자의 인체 상태를 판단하며,상기 인체 상태는 사용자의 콜레스테롤 합성량, 수면량 및 운동량 중 적어도 하나와 관련된 상태인 이소프렌 감지 장치
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제 7 항에 있어서,상기 판단부는 상기 가스 크로마토그래피 컬럼에서 분리된 이소프렌이 상기 이소프렌 감지 센서에 도달하는 시간에 감지된 상기 이소프렌 감지 센서의 값을 이용하여 이소프렌의 농도를 측정하는 이소프렌 감지 장치
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제 7 항에 있어서,상기 판단부는 상기 이소프렌 감지 센서에서 검출된 전류값을 기준 전류값과 비교하거나 이소프렌 감지 센서에서 검출된 전류값을 통해 계산된 저항값을 기준 저항값과 비교함으로써, 이소프렌의 농도를 측정하는 이소프렌 감지 장치
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제 7 항에 있어서,상기 다수의 나노 입자는 SiO2, WO3, SnO2, TiO2, ZnO, CuO, NiO, CoO, In2O3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는이소프렌 감지 장치
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제 7 항에 있어서,상기 촉매는팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg) 및 바나듐(V)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 금속을 포함하는이소프렌 감지 장치
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