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저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020012665
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제 2 전극의 형성 과정 중 산화 반응에 의하여 형성되는 저항 변화 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 저항 변화 메모리 소자는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성된 NbO2-x1 (0 ≤ x1 003c#1 임)의 제 1 니오븀 산화물 층, 상기 제 1 니오븀 산화물 층 상에 형성된 Nb2O5-x2 (0 ≤ x2 003c#1 임)의 제 2 니오븀 산화물 층 및 상기 제 2 니오븀 산화물 층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 2 니오븀 산화물 층은 NbOx3 (1.8 003c# x3 ≤ 2.2 임)의 초기 니오븀 산화물의 상부 영역이 상기 제 2 전극의 형성 과정 중에 상기 초기 니오븀 산화물 내부의 비격자 산소가 격자 산소로 변화됨으로써 형성된다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01)
출원번호/일자 1020190040153 (2019.04.05)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2077957-0000 (2020.02.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.04.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손현철 서울특별시 서대문구
2 이지민 서울특별시 서대문구
3 김재연 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0351853-10
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-0810013-85
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2019.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2019.08.20 수리 (Accepted) 9-1-2019-0039046-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0671966-34
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1178854-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1178833-72
8 등록결정서
Decision to grant
2020.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0049274-04
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번호 청구항
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제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 비격자 산소에 의해 비화학양론을 갖는 니오븀 산화물(NbOx3, 1
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제 5 항에 있어서,상기 초기 박막은 산소 분압(PO2) 2 % 내지 5 %의 조건에서 증착되는 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 전극은 60 nm 내지 100 nm의 두께로 형성되는 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 전극은 80 W 내지 120 W의 직류 스퍼터링(DC sputtering)에 의하여 증착되는 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 전극은 원자량이 180 이상인 금속 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 니오븀 산화물의 두께는 10 nm 내지 20 nm인 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 니오븀 산화물 층 및 상기 제 2 니오븀 산화물 층을 0
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 기타사업 Mott-transition 기반 Forming-less 비휘발성 저항 변화 메모리 및 Array 개발(3/6)