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금속 나노 입자 분산액과 아민계 고분자 분산액을 광 소자 하부 구조체 상에 도포하여 하부 전자 수송층을 형성하는 단계;상기 하부 전자 수송층 상에 금속 나노 와이어 분산액을 도포하여 금속 나노 와이어 층을 형성하는 단계; 및상기 금속 나노 와이어 층 상에 상기 금속 나노 입자 분산액과 상기 아민계 고분자 분산액을 도포하여 상부 전자 수송층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 아민계 고분자 분산액은 폴리에틸렌이민(Polyethyleneimine, PEI)을 포함하는 아민계 고분자가 분산되며,상기 아민계 고분자는 n-타입 도펀트(dopant)에 의해 도핑되는 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 하부 전자 수송층을 형성하는 상기 단계는,상기 광 소자 하부 구조체 상에 상기 금속 나노 입자 분산액을 도포한 후 제1 열경화 공정을 통해 제1 하부 전자 수송층을 형성하는 단계; 및상기 형성된 제1 하부 전자 수송층 상에 상기 아민계 고분자 분산액을 도포한 후 제2 열경화 공정을 통해 제2 하부 전자 수송층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 열경화 공정 및 상기 제2 열경화 공정은 90 ℃ 내지 120 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 상부 전자 수송층을 형성하는 상기 단계는,상기 금속 나노 와이어 층 상에 상기 금속 나노 입자 분산액을 도포한 후 제3 열경화 공정을 통해 제1 상부 전자 수송층을 형성하는 단계; 및상기 형성된 제1 상부 전자 수송층 상에 상기 아민계 고분자 분산액을 도포한 후 제4 열경화 공정을 통해 제2 상부 전자 수송층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 제3 열경화 공정 및 상기 제4 열경화 공정은 90 ℃ 내지 120 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광 소자 하부 구조체는 발광층 및 광 흡수층 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 아민계 고분자는 상기 아민계 고분자 분산액의 전체 중량 대비 1 중량% 내지 2 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 아민계 고분자와 상기 n-타입 도펀트는 10:1 내지 30:1 의 중량비로 도핑되는 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 n-타입 도펀트는 세슘 카보네이트(Cesium carbonate, CsCO3), 유기차화합물(Alq3), 플루오르화 세슘(Cesium fluoride, CsF) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 입자 분산액은 산화아연(ZnO)을 포함하는 금속 나노 입자가 분산된 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 상기 금속 나노 입자 분산액의 전체 중량 대비 1 중량% 내지 2
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 와이어 분산액은 은 나노 와이어(silver nanowire, AgNWs)를 포함하는 금속 나노 와이어가 분산된 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법
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제1항 내지 제6항, 제8항, 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따라 제조된 광 소자용 투명 상부전극
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