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반도체 채널 층;상기 반도체 채널 층의 양 단부에 형성된 제 1 소스/드레인 전극 및 제 2 소스/드레인 전극; 상기 반도체 채널 층의 상기 제 1 소스/드레인 전극과 상기 제 2 소스/드레인 전극 사이의 제 1 영역 상에 형성된 게이트 전극; 및상기 반도체 채널 층의 상기 제 1 영역과 상기 게이트 전극 사이에 형성되고, 게이트 절연막의 적어도 일부를 구성하는 강유전성을 갖는 유기 단결정 층을 포함하는 유기 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 유기 단결정 층은 단위 유닛이 수소 결합에 의하여 결합되며 π-결합 스위칭에 의하여 극성이 변하는 강유전성 물질을 포함하는 유기 트랜지스터
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제 2 항에 있어서,상기 단위 유닛은 하기 화학식 1로 표시되는 이미다졸계 화합물을 포함하는 유기 트랜지스터:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R은 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며, X1 및 X2는 수소(H), 염소(Cl), 플루오르(F), 브롬(Br) 또는 요오드(I)이다
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제 3 항에 있어서,상기 화학식 1에서, X1 및 X2는 수소(H)인 유기 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 유기 단결정 층의 두께는 20 nm 내지 20 μm의 범위 내인 유기 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 소스/드레인 전극, 제 2 소스/드레인 전극 또는 게이트 전극은 단결정 물질을 포함하는 유기 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 소스/드레인 전극 또는 제 2 소스/드레인 전극 중 적어도 어느 하나는 그래핀을 포함하는 유기 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 그래핀을 포함하는 유기 트랜지스터
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기판 상에 반도체 채널 층을 형성하는 단계;상기 반도체 채널 층의 양 단부에 제 1 소스/드레인 전극 및 제 2 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 강유전성 물질을 포함하는 유기 단결정 퇴적층을 형성하는 단계; 상기 형성된 유기 단결정으로부터 박리된 유기 층을 얻는 단계;상기 박리된 유기 층을 상기 반도체 채널 층, 제 1 소스/드레인 전극 및 제 2 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 전사시켜 게이트 절연막의 적어도 일부를 구성하는 강유전성을 갖는 유기 단결정 층을 형성하는 단계; 및상기 유기 단결정 층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 트랜지스터의 제조 방법
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제 19 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 기판 상에 전사된 복수 개의 유기 단결정 층들 중에서 선별된 일부의 유기 단결정 층들 상에 형성되는 유기 트랜지스터의 제조 방법
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제 19 항에 있어서,상기 제 1 소스/드레인 전극, 제 2 소스/드레인 전극 또는 게이트 전극은 단결정 물질을 포함하는 유기 트랜지스터의 제조 방법
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제 19 항에 있어서,상기 제 1 소스/드레인 전극 또는 제 2 소스/드레인 전극 중 적어도 어느 하나는 그래핀을 포함하는 유기 트랜지스터의 제조 방법
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제 19 항에 있어서,상기 게이트 전극은 그래핀을 포함하는 유기 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기 단결정 층의 제 1 면은 상기 반도체 채널 층에 접촉되고 상기 제 1 면과 마주하는 상기 유기 단결정 층의 제 2 면은 상기 게이트 전극에 접촉된 유기 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 유기 단결정 층은, 상기 게이트 전극에 게이트 전압이 인가되는 경우, π-결합 스위칭에 의하여 극성이 변함으로써 상기 반도체 채널 층의 전기 전도도를 변화시키는 유기 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 채널 층은 2 차원 물질 구조를 갖고,상기 유기 트랜지스터의 모든 구성 요소는 단결정 물질로 구성된 유기 트랜지스터
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제 19 항에 있어서,상기 유기 단결정 층의 제 1 면은 상기 반도체 채널 층에 접촉되고 상기 제 1 면과 마주하는 상기 유기 단결정 층의 제 2 면은 상기 게이트 전극에 접촉된 유기 트랜지스터의 제조 방법
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제 19 항에 있어서,상기 유기 단결정 층은, 상기 게이트 전극에 게이트 전압이 인가되는 경우, π-결합 스위칭에 의하여 극성이 변함으로써 상기 반도체 채널 층의 전기 전도도를 변화시키는 유기 트랜지스터의 제조 방법
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제 19 항에 있어서,상기 반도체 채널 층은 2차원 물질 구조를 갖고,상기 유기 트랜지스터의 모든 구성 요소는 단결정 물질로 구성된 유기 트랜지스터의 제조 방법
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