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엑스레이를 방출하는 엑스레이 튜브; 상기 엑스레이의 일부를 흡수하고 상기 엑스레이의 일부를 통과시키는 필터; 반도체 제품이 위치하는 거치대, 상기 필터를 통과한 엑스레이는 상기 반도체 제품 및 상기 거치대를 통과하고;상기 반도체 제품 및 상기 거치대를 통과한 엑스레이를 감지하는 검출기; 및 상기 검출기에서 감지된 엑스레이를 영상으로 나타내는 디스플레이를 포함하고,상기 필터는 제1 금속 층 및 상기 제1 금속 층 상의 제2 금속 층을 포함하고,상기 제1 금속 층은 아연(Zn), 지르코늄(Zr) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 하나의 물질을 포함하고, 상기 제2 금속 층은 텅스텐(W)을 포함하는 엑스레이 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 층은 아연(Zn), 지르코늄(Zr) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 단일 금속 층이고,상기 제2 금속 층은 텅스텐(W)으로 형성되는 단일 금속 층인 엑스레이 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 층은 제1 하부 금속 층 및 상기 제1 하부 금속 층 상의 제1 상부 금속 층을 포함하고,상기 제1 하부 금속 층은 아연(Zn), 지르코늄(Zr) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 단일 금속 층이고,상기 제1 상부 금속 층은 아연(Zn), 지르코늄(Zr) 및 몰리브덴(Mo) 중에서 상기 제1 하부 금속 층과 다른 물질로 형성되는 단일 금속 층인 엑스레이 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 층은 제1 하부 금속 층, 상기 제1 하부 금속 층 상의 제1 중간 금속 층 및 상기 제1 중간 금속 층 상의 제1 상부 금속 층을 포함하고,상기 제1 하부 금속 층은 아연(Zn), 지르코늄(Zr) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 단일 금속 층이고,상기 제1 중간 금속 층은 아연(Zn), 지르코늄(Zr) 및 몰리브덴(Mo) 중에서 상기 제1 하부 금속 층과 다른 물질로 형성되는 단일 금속 층이고,상기 제1 상부 금속 층은 아연(Zn), 지르코늄(Zr) 및 몰리브덴(Mo) 중에서 상기 제1 하부 금속 층 및 상기 제1 중간 금속 층과 다른 물질로 형성되는 단일 금속 층인 엑스레이 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 층의 두께는 상기 제2 금속 층의 두께 보다 큰 엑스레이 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 층은 100㎛ 내지 500㎛의 두께로 형성되고,상기 제2 금속 층은 20㎛ 내지 300㎛의 두께의 범위 내에서 상기 제1 금속 층 보다 얇은 두께로 형성되고,상기 제1 금속 층은 아연(Zn)으로 형성되고,상기 제2 금속 층은 텅스텐(W)으로 형성되는 엑스레이 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 층은 340㎛ 두께의 아연(Zn)으로 형성되고,상기 제2 금속 층은 80㎛ 두께의 텅스텐(W)으로 형성되는 엑스레이 시스템
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8
제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 층은 370㎛ 두께의 아연(Zn)으로 형성되고,상기 제2 금속 층은 20㎛ 두께의 텅스텐(W)으로 형성되는 엑스레이 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 층은 100㎛ 내지 400㎛의 두께로 형성되고,상기 제2 금속 층은 20㎛ 내지 300㎛의 두께의 범위 내에서 상기 제1 금속 층 보다 얇은 두께로 형성되고,상기 제1 금속 층은 지르코늄(Zr)으로 형성되고,상기 제2 금속 층은 텅스텐(W)으로 형성되는 엑스레이 시스템
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10
제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 층은 30㎛ 내지 200㎛의 두께로 형성되고,상기 제2 금속 층은 20㎛ 내지 300㎛의 두께로 형성되고,상기 제1 금속 층은 몰리브덴(Mo)으로 형성되고,상기 제2 금속 층은 텅스텐(W)으로 형성되는 엑스레이 시스템
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