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PN 접합 반도체층을 형성하는 단계;상기 PN 접합 반도체층을 관통하는 적어도 하나의 비아홀(via-hole)을 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 비아홀이 형성된 PN 접합 반도체층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계; 및상기 패시베이션층 상에 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는,태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 패시베이션층 상에 옥사이드층을 형성하는 단계;를 더 포함하는,태양전지의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 태양전지의 색상은, 상기 옥사이드층의 두께에 따라 조절되는,태양전지의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 옥사이드층은 SiO2 옥사이드층을 포함하는,태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 비아홀을 형성하는 단계는,수산화칼륨(KOH) 용액이 담긴 수조에 상기 전극이 형성된 태양전지를 함침시키는 단계; 및상기 태양전지가 함침된 상태에서 레이저 드릴링 공정을 수행하여 상기 적어도 하나의 비아홀을 형성하는 단계;를 포함하는,태양전지의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 적어도 하나의 비아홀은, 상기 PN 접합 반도체층에 포함된 N-형 실리콘층과 P-형 실리콘층의 적층 구조를 수직으로 관통하는 방향으로 형성되는,태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 비아홀의 형태는, 상기 태양전지에 입사되는 태양광의 투과율을 결정하는,태양전지의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 적어도 하나의 비아홀의 형태는 타원형인,태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 PN 접합 반도체층을 형성하는 단계는,P-형 실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 P-형 실리콘층 상부에 N-형 실리콘층을 적층하는 단계;를 포함하는,태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 패시베이션층을 형성하는 단계는,상기 N-형 실리콘층 상부에 상부 패시베이션층을 적층하는 단계; 및상기 P-형 실리콘층 하부에 하부 패시베이션층을 적층하는 단계;를 포함하는,태양전지의 제조 방법
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