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(a) 기판 표면에 실리콘(Silicon) 박막을 증착하고 산소 분위기에서 1차 열처리하여 실리콘 박막의 표면을 개질하는 단계;(b) 상기 1차 열처리 후 개질된 실리콘 박막의 표면에 니켈(Ni)을 코팅하여 니켈층을 형성하고 590~620℃에서 2차 열처리하여 실리콘 박막과 니켈층 계면에 니켈실리사이드를 형성하는 단계; 및(c) 상기 2차 열처리 후 니켈층의 니켈실리사이드를 포함하지 않는 상부 니켈 금속 영역을 에칭 처리하여 제거하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 금속 및 금속 산화물에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 박막은 폴리실리콘 성장(Polysilicon growth, PSG) 박막인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서 상기 1차 열처리 온도는 800~1050℃인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 1차 열처리 시간은 1~30분인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 2차 열처리 온도는 595~610℃인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 2차 열처리 시간은 1~10분인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 가시광 투과도가 75% 이상이고 면 저항이 100 Ω/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법
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산소 분위기의 열처리에 의해 표면 개질된 실리콘 박막; 및상기 개질된 실리콘 박막의 표면에 형성된 니켈실리사이드 층을 포함하고,가시광 투과도가 75% 내지 90%이고, 면 저항이 55 Ω/㎠ 내지 100 Ω/㎠ 인 것을 특징으로 하는 투명전극
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제12항에 있어서, 상기 실리콘 박막은 폴리실리콘 성장(Polysilicon growth, PSG) 박막인 것을 특징으로 하는 투명전극
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(a) 베이스 기판 표면에 실리콘(Silicon) 박막을 증착하고 산소 분위기에서 1차 열처리하여 실리콘 박막의 표면을 개질하는 단계;(b) 상기 1차 열처리 후 개질된 실리콘 박막의 표면에 니켈(Ni)을 코팅하여 니켈층을 형성하고 590~620℃에서 2차 열처리하여 실리콘 박막과 니켈층 계면에 니켈실리사이드를 형성하는 단계;(c) 상기 2차 열처리 후 니켈층의 니켈실리사이드를 포함하지 않는 상부 니켈 금속 영역을 에칭 처리하여 제거한 후 베이스 기판 표면에 투명전극을 형성하는 단계; 및(d) 상기 투명전극 표면에 유연 기판을 접합한 후 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 유연 투명전극 기판의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 유연 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS),실리콘수지, 불소수지 또는 변성에폭시수지에서 선택되는 1종 이상의 폴리머로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 기판의 제조방법
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베이스 기판 표면 및 상기 베이스 기판 표면에 형성된 투명전극으로 구성된 베이스 투명전극 기판을 준비하는 단계; 및상기 투명전극 표면에 유연 기판을 접합한 후 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 방법으로서, 상기 투명전극은 산소 분위기의 열처리에 의해 표면 개질된 실리콘 박막; 및 상기 개질된 실리콘 박막의 표면에 형성된 니켈실리사이드 층을 포함하고, 가시광 투과도가 75% 내지 90%이고, 면 저항이 55 Ω/㎠ 내지 100 Ω/㎠ 인 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 기판의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 유연 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS),실리콘수지, 불소수지 또는 변성에폭시수지에서 선택되는 1종 이상의 폴리머로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 기판의 제조방법
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