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가스 센싱 디바이스에 있어서,캐비티를 가지는 기판, 상기 기판 상에 형성된 제 1 절연층, 상기 제 1 절연층 상에 형성되고, 히터선을 포함하는 발열층, 상기 발열층 상에 형성된 제 2 절연층 및 상기 제 2 절연층 상에 형성되고, 가스를 검출하기 위한 센서선을 포함하는 센서층을 포함하는 반도체식 가스 센서; 및상기 발열층과 연결되고, 브릿지 회로와 연산 증폭기를 이용한 피드백 제어 회로를 포함하는 히터선 구동 회로를 포함하는 가스 센싱 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 브릿지 회로의 제 1 변(arm)의 저항 및 제 3 변의 저항 사이의 제 1 노드는 상기 연산 증폭기의 반전 입력단자에 연결되고,상기 브릿지 회로의 제 2 변의 저항 및 제 4 변의 저항 사이의 제 2 노드는 상기 연산 증폭기의 비반전 입력단자에 연결되는 것인, 가스 센싱 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 히터선은 상기 브릿지 회로의 상기 제 3 변의 저항으로 구성된 것인, 가스 센싱 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 연산 증폭기의 출력 전압이 상기 브릿지 회로의 입력 전압이 되도록 상기 연산 증폭기의 출력 단자는 상기 브릿지 회로의 상단에 연결된 것인, 가스 센싱 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 히터선은 폴리실리콘 또는 백금(Pt)의 재질로 구성된 것인, 가스 센싱 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 발열층은 상기 히터선과 연결된 제 1 금속층을 포함하는 것인, 가스 센싱 디바이스
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au) 중 어느 하나의 재질로 구성된 것인, 가스 센싱 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 센서층은 상기 센서선과 연결된 제 2 금속층을 더 포함하는 것인, 가스 센싱 디바이스
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제 8 항에 있어서,상기 센서선은 금속산화물, 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube; CNT), 그라핀(graphene), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 금(Au) 중 적어도 하나의 재질로 구성된 것인, 가스 센싱 디바이스
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au) 중 어느 하나의 재질로 구성된 것인, 가스 센싱 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 절연층 및 상기 제 2 절연층은 실리콘 나이트라이드(Si3N4) 또는 실리콘 옥사이드(SiO2)의 재질로 구성된 것인, 가스 센싱 디바이스
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가스 센싱 디바이스의 제작 방법에 있어서,캐비티를 가지는 기판 상에 제 1 절연층을 형성하는 단계;상기 제 1 절연층 상에 히터선을 포함하는 발열층을 형성하는 단계;상기 발열층 상에 제 2 절연층을 형성하는 단계;상기 제 2 절연층 상에 가스를 검출하기 위한 센서선을 포함하는 센서층을 형성하여 반도체식 가스 센서를 생성하는 단계; 및브릿지 회로와 연산 증폭기를 이용한 피드백 제어 회로를 포함하는 히터선 구동 회로를 상기 발열층과 연결하는 단계를 포함하는 것인, 가스 센싱 디바이스의 제작 방법
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제 12 항에 있어서,상기 브릿지 회로의 제 1 변(arm)의 저항 및 제 3 변의 저항 사이의 제 1 노드는 상기 연산 증폭기의 반전 입력단자에 연결되고,상기 브릿지 회로의 제 2 변의 저항 및 제 4 변의 저항 사이의 제 2 노드는 상기 연산 증폭기의 비반전 입력단자에 연결되는 것인, 가스 센싱 디바이스의 제작 방법
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제 13 항에 있어서,상기 히터선은 상기 브릿지 회로의 상기 제 3 변의 저항으로 구성된 것인, 가스 센싱 디바이스의 제작 방법
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제 13 항에 있어서,상기 연산 증폭기의 출력 전압이 상기 브릿지 회로의 입력 전압이 되도록 상기 연산 증폭기의 출력 단자는 상기 브릿지 회로의 상단에 연결된 것인, 가스 센싱 디바이스의 제작 방법
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