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유연기판;상기 유연기판 상에 형성된 금속산화물층;상기 금속산화물층 상에 형성된 계면접착층(interfacial adhesion layer); 및상기 계면접착층 상에 형성된 그래핀;을포함하는 그래핀 적층체
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제1항에 있어서,상기 계면접착층은 상기 금속산화물층과 상기 그래핀을 접착하고, 금속-산소(Me-O) 결합, 금속-탄소(Me-C) 결합 및 금속-산소-탄소(Me-O-C) 결합 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제2항에 있어서,상기 금속(Me)은 알루미늄(Al), 규소(Si), 하프늄(Hf) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제3항에 있어서,상기 계면접착층은 상기 금속산화물층과 상기 그래핀층을 접착하고, 금속-산소(Me-O) 결합, 금속-탄소(Me-C) 결합 및 금속-산소-탄소(Me-O-C) 결합을 포함하고,상기 금속(Me)은 알루미늄(Al)을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제1항에 있어서,상기 그래핀이 단일층 그래핀, 2중층 그래핀 및 다층 그래핀으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제1항에 있어서,상기 금속산화물층이 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 실리콘 옥사이드(SiO2), 하프늄 옥사이드(HfO3) 및 이산화 타이타늄(TiO2)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제1항에 있어서,상기 유연기판이 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(polyamide), 폴리파라자일릴렌(poly(p-xylylene), 패릴렌, parylene), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 시톱(Cytop), 폴리스티렌(Polystyrene, PS), 폴리메틸메타크릴레이트(poly(methyl methacrylate, PMMA), 폴리비닐피롤리돈(poly(vinyl pyrrolidone), PVP), 폴리우레아, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 및 이들을 포함하는 섬유강화 플라스틱으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제1항의 그래핀 적층체를 포함하는 유기전자소자
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제8항에 있어서,상기 유기전자소자가 유기박막트랜지스터, 유기태양전지, 유기발광다이오드, 유기메모리소자, 광검출소자, 멤리스터 및 베리스터로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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(a) 유연기판 상에 금속산화물을 적층하여 유연기판/금속산화물층을 제조하는 단계;(b) 상기 유연기판/금속산화물층의 금속산화물층 상에 그래핀 전구체를 코팅하여 유연기판/금속산화물층/그래핀 전구체층을 제조하는 단계;(c) 상기 유연기판/금속산화물층/그래핀 전구체층의 그래핀 전구체층 상에 UV/O3를 조사하여 유연기판/금속산화물층/계면접착층/가교된 그래핀 전구체층을 제조하는 단계;(d) 상기 유연기판/금속산화물층/계면접착층/가교된 그래핀 전구체층의 가교된 그래핀 전구체층을 금속촉매 전구체와 접촉시켜 유연기판/금속산화물층/계면접착층/금속촉매 전구체가 함침된(Embedded) 가교된 그래핀 전구체층을 제조하는 단계; 및(e) 상기 유연기판/금속산화물층/계면접착층/금속촉매 전구체가 함침된 가교된 그래핀 전구체층을 플라즈마 화학기상증착(Plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)하여 유연기판/금속산화물층/계면접착층/그래핀을 포함하는 그래핀 적층체를 제조하는 단계;를 포함하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 단계 (e)가 200 내지 1,000℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 온도 조건 하에서 상기 유연기판/금속산화물층/계면접착층/금속촉매 전구체가 함침된 가교된 그래핀 전구체층의 금속촉매 전구체가 금속촉매로 환원되는 동시에 상기 그래핀 적층체를 제조하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 금속촉매가 구리, 니켈, 코발트, 철, 탄탈룸, 이리듐 및 루테늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 단계 (e)가 수소 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 단계 (a)에서, 상기 금속산화물이 원자층 증착(Atomic layer deposition, ALD)에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 그래핀 전구체가 25℃, 1기압에서 고체상태이고, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소이고,상기 치환에 해당하는 치환기는 산소원자, C1 내지 C200 알킬기, C2 내지 C200의 알케닐기, C2 내지 C200의 알키닐기, C1 내지 C200 알킬렌기, C2 내지 C200의 알케닐렌기, C2 내지 C200의 알키닐렌기, 및 C6 내지 C200 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 그래핀 전구체가 1,2,3,4-Tetraphenylnaphthalene(TPN), 안트라센(Anthracene), 파이렌(Pyrene), 나프탈렌(Naphthalene), 플루오란텐(Fluoranthene), 헥사페닐벤젠(Hexaphenylbenzene), 테트라페닐싸이클로펜타디에논(Tetraphenylcyclopentadienone), 디페닐아세틸렌(Diphenylacetylene), 페닐아세틸렌(Phenylacetylene), 트립티센(Triptycene), 테트라센(Tetracene), 크리센(Chrysene), 트리페닐렌(Triphenylene), 코로넨(Coronene), 펜타센(Pentacene), 코란눌렌(Corannulene) 및 오발렌(Ovalene)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 단계 (b)에서, 상기 코팅이 스핀 코팅, 딥 코팅, 바 코팅 및 스프레이 코팅으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 단계 (b) 이후에,(b') 상기 유연기판/금속산화물층/그래핀 전구체층 상에 섀도우 마스크를 위치시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 단계 (b)에서, 상기 코팅된 그래핀 전구체의 두께가 1 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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