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아래 구조식 1로 표시되는 화합물과 아래 구조식 2로 표시되는 화합물이 축합반응하여 생성된 고분자 화합물:[구조식 1]상기 구조식 1에서 Q는 , F, Cl, Br, I, , 또는 이고,x는 반복단위의 반복수이고, y는 반복단위의 반복수이고, 상기 구조식 1로 표시되는 화합물의 수평균 분자량은 500 내지 30,000이고,상기 구조식 1로 표시되는 화합물 중 아크릴로니트릴(acrylonitrile)의 함량은 5 내지 30wt%이고,[구조식 2]상기 구조식 2에서,R1 내지 R6은 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 Cl, Br, I, 히드록시기, 또는 C1 내지 C3 알콕시기이고, z는 2 내지 20의 정수 중 어느 하나이다
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제1항에 있어서,상기 구조식 1로 표시되는 화합물의 수평균 분자량이 2,500 내지 5,000이고,상기 구조식 1로 표시되는 화합물 중 아크릴로니트릴(acrylonitrile)의 함량이 10 내지 15wt%인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
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3
제1항에 있어서,z가 2 내지 10의 정수 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
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제1항에 있어서,상기 구조식 2로 표시되는 화합물이 1,6-비스(트리클로로실릴)헥산, 1,2-비스(트리클로로실릴)에탄 및 헥사클로로실록산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
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제4항에 있어서,상기 구조식 2로 표시되는 화합물이 1,6-비스(트리클로로실릴)헥산을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
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6
아래 구조식 1로 표시되는 화합물과 아래 구조식 2로 표시되는 화합물이 축합반응하여 생성된 고분자 화합물을 포함하는 매트릭스; 및상기 매트릭스 내에 형성되고, 아래 구조식 2로 표시되는 화합물이 자가 축합 반응(self-condensation reaction)하여 생성된 화합물을 포함하는 도메인;을 포함하는 고분자 복합체:[구조식 1]상기 구조식 1에서 Q는 , F, Cl, Br, I, , 또는 이고,x는 반복단위의 반복수이고, y는 반복단위의 반복수이고, 상기 구조식 1로 표시되는 화합물의 수평균 분자량은 500 내지 30,000이고,상기 구조식 1로 표시되는 화합물 중 아크릴로니트릴(acrylonitrile)의 함량은 5 내지 30wt%이고,[구조식 2]상기 구조식 2에서,R1 내지 R6은 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 Cl, Br, I, 히드록시기, 또는 C1 내지 C3 알콕시기이고, z는 2 내지 20의 정수 중 어느 하나이다
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7
제6항에 있어서,상기 구조식 2로 표시되는 화합물이 아래 구조식 3으로 표시되는 실록세인 결합으로 연결되어 도메인을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체
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8
제6항에 있어서,상기 고분자 복합체가 상기 구조식 1로 표시되는 화합물 100중량부에 대하여 상기 구조식 2로 표시되는 화합물 1 내지 20중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체
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9
제6항에 있어서,상기 구조식 2로 표시되는 화합물이 1,6-비스(트리클로로실릴)헥산, 1,2-비스(트리클로로실릴)에탄 및 헥사클로로실록산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체
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10
제6항에 있어서,상기 고분자 복합체가 유기박막 트랜지스터의 절연체로 사용되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체
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11
아래 구조식 1로 표시되는 화합물과 아래 구조식 2로 표시되는 화합물을 반응시켜,아래 구조식 1로 표시되는 화합물과 아래 구조식 2로 표시되는 화합물이 축합반응하여 생성된 고분자 화합물을 포함하는 매트릭스; 및 상기 매트릭스 내에 형성되고, 아래 구조식 2로 표시되는 화합물이 자가 축합 반응하여 생성된 화합물을 포함하는 도메인;을 포함하는 고분자 복합체를 제조하는 단계;를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법:[구조식 1]상기 구조식 1에서 Q는 , F, Cl, Br, I, , 또는 이고,x는 반복단위의 반복수이고, y는 반복단위의 반복수이고, 상기 구조식 1로 표시되는 화합물의 수평균 분자량은 500 내지 30,000이고,상기 구조식 1로 표시되는 화합물 중 아크릴로니트릴(acrylonitrile)의 함량은 5 내지 30wt%이고,[구조식 2]상기 구조식 2에서,R1 내지 R6은 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 Cl, Br, I, 히드록시기, 또는 C1 내지 C3 알콕시기이고, z는 2 내지 20의 정수 중 어느 하나이다
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제11항에 있어서,상기 구조식 2로 표시되는 화합물이 아래 구조식 3으로 표시되는 실록세인 결합으로 연결되어 도메인을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 고분자 복합체가 상기 구조식 1로 표시되는 화합물 100중량부에 대하여 상기 구조식 2로 표시되는 화합물 1 내지 20중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 구조식 2로 표시되는 화합물이 1,6-비스(트리클로로실릴)헥산, 1,2-비스(트리클로로실릴)에탄 및 헥사클로로실록산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 반응이 50 내지 150℃의 온도로 1 내지 24시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체의 제조방법
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기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 고분자 절연층;상기 고분자 절연층 상에 형성된 반도체층; 및상기 반도체층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하고,상기 고분자 절연층은 아래 구조식 1로 표시되는 화합물과 아래 구조식 2로 표시되는 화합물이 축합반응하여 생성된 고분자 화합물을 포함하는 매트릭스; 및 상기 매트릭스 내에 형성되고, 아래 구조식 2로 표시되는 화합물이 자가 축합 반응하여 생성된 화합물을 포함하는 도메인;을 포함하는 고분자 복합체를 포함하는 것인 유기박막 트랜지스터:[구조식 1]상기 구조식 1에서 Q는 , F, Cl, Br, I, , 또는 이고,x는 반복단위의 반복수이고, y는 반복단위의 반복수이고, 상기 구조식 1로 표시되는 화합물의 수평균 분자량은 500 내지 30,000이고,상기 구조식 1로 표시되는 화합물 중 아크릴로니트릴(acrylonitrile)의 함량은 5 내지 30wt%이고,[구조식 2]상기 구조식 2에서,R1 내지 R6은 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 Cl, Br, I, 히드록시기, 또는 C1 내지 C3 알콕시기이고, z는 2 내지 20의 정수 중 어느 하나이다
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