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금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층; 및상기 금속 산화물층 상에 형성되고, 양쪽성 이온(zwitterion)을 포함하는 양쪽성 이온층;을 포함하고,상기 양쪽성 이온이 아래 구조식 1로 표시되는 화합물 및 구조식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 개질된 전자 전달층:[구조식 1]상기 구조식 1에서,R1 내지 R5는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소원자, 선형 C1 내지 C9 알킬기, 또는 가지형 C3 내지 C9 알킬기이고,R6는 선형 C1 내지 C9 알킬렌기 또는 가지형 C2 내지 C9 알킬렌기이고,[구조식 2]상기 구조식 2에서,R7 내지 R9는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소원자, 선형 C1 내지 C9 알킬기, 또는 가지형 C3 내지 C9 알킬기이고,R10은 선형 C1 내지 C9 알킬렌기 또는 가지형 C2 내지 C9 알킬렌기이다
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물이 n형 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 개질된 전자 전달층
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제2항에 있어서, 상기 금속 산화물이 SnO2, ZnO, TiO2, Al2O3, MgO, Fe2O3, WO3, In2O3, BaTiO3, BaSnO3 및 ZrO3로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 개질된 전자 전달층
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삭제
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제1항에 있어서,R1 내지 R5는 서로 같거나 다르고
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물층의 두께가 10 내지 60nm인 것을 특징으로 하는 개질된 전자 전달층
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제1항에 있어서,상기 양쪽성 이온층의 두께가 0
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제1항에 있어서,상기 전자 전달층이 태양전지의 전자 전달층에 사용되는 것을 특징으로 하는 개질된 전자 전달층
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제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되고, 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층; 상기 금속 산화물층 상에 형성되고, 양쪽성 이온을 포함하는 양쪽성 이온층;상기 양쪽성 이온층 상에 형성되는 광변환층;상기 광변환층 상에 형성되는 정공 전달층; 및상기 정공 전달층 상에 형성되는 제2 전극;을 포함하고,상기 양쪽성 이온이 아래 구조식 1로 표시되는 화합물 및 구조식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 태양전지:[구조식 1]상기 구조식 1에서,R1 내지 R5는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소원자, 선형 C1 내지 C9 알킬기, 또는 가지형 C3 내지 C9 알킬기이고,R6는 선형 C1 내지 C9 알킬렌기 또는 가지형 C2 내지 C9 알킬렌기이고,[구조식 2]상기 구조식 2에서,R7 내지 R9는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소원자, 선형 C1 내지 C9 알킬기, 또는 가지형 C3 내지 C9 알킬기이고,R10은 선형 C1 내지 C9 알킬렌기 또는 가지형 C2 내지 C9 알킬렌기이다
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제9항에 있어서,상기 광변환층이 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물, 염료 및 양자점으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제10항에 있어서,상기 페로브스카이트 구조의 화합물이 CH3NH3PbI3-xClx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbI3-xBrx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbCl3-xBrx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbI3-xFx(0≤x≤3인 실수), NH2CH=NH2PbI3-xClx (0≤x≤3인 실수), NH2CH=NH2PbI3-xBrx(0≤x≤3인 실수), NH2CH=NH2PbCl3-xBrx(0≤x≤3인 실수), NH2CH=NH2PbI3-xFx(0≤x≤3인 실수), Csx(MA0
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제9항에 있어서,상기 정공 전달층이 Spiro-OMeTAD, P3HT, P3AT, P3OT, PEDOT:PSS, PTAA 및 전도성 고분자로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제9항에 있어서,상기 제1 전극이 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드 (AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드 (IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제9항에 있어서,상기 제2 전극이 Ag, Au, Al, Fe, Ag, Cu, Cr, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제9항에 있어서,상기 태양전지가 염료 감응형 태양전지, 페로브스카이트 태양전지 및 양자점 태양전지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 태양전지
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(a) 제1 전극 상에 금속산화물을 포함하는 금속 산화물층을 형성하는 단계;(b) 상기 금속 산화물층 상에 양쪽성 이온을 포함하는 양쪽성 이온층을 형성하는 단계;(c) 상기 양쪽성 이온층 상에 광변환층을 형성하는 단계;(d) 상기 광변환층 상에 정공 전달층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 정공 전달층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 양쪽성 이온이 아래 구조식 1로 표시되는 화합물 및 구조식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 태양전지의 제조방법:[구조식 1]상기 구조식 1에서,R1 내지 R5는 서로 같거나 다르고
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제16항에 있어서,상기 단계 (b)가 스핀 코팅법(spin coating) 및 화학적 용액 성장법(chemical bath deposition)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 금속 산화물층의 두께가 10 내지 60nm이고, 상기 양쪽성 이온층의 두께가 0
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