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일차원 전자기 밴드갭 접지 구조를 구비하는 안테나 장치로서, 기판; 상기 기판 상에 적어도 부분적으로 형성된 접지 레이어; 및상기 접지 레이어의 일 측방에 배치되는 평면 역-L형 방사체 (ILA) 를 포함하되, 상기 접지 레이어의 상기 평면 방사체 측 엣지 (edge) 에는 일차원 전자기 밴드갭 접지 구조가 내장되어, 임피던스 대역폭이 제한되는 급전부 부가 회로를 대체 가능하며, 단락핀을 구비한 PIFA(Planar Inverted-F Antenna) 또는 발룬을 구비한 다이폴 안테나보다 더 광대역 구동이 가능하도록 상기 평면 역-L형 방사체 (ILA)와 같이 안테나를 구성하고, 상기 일차원 전자기 밴드갭 접지 구조는, 복수의 주기적인 일차원 유닛 셀을 포함하고, 상기 복수의 주기적인 일차원 유닛 셀들은 상기 접지 레이어의 상기 평면 방사체 측 엣지에 하나의 컬럼을 형성하고, 상기 일차원 유닛 셀은, 스트립 라인, 패치 내부에 형성된 복수의 가느다란 슬릿 패턴들을 가지는 금속 패치 및 복수의 유닛 셀들 간의 간격에 의해 형성되는 내로우 갭 커패시터 (narrow gap capacitor)를 각각 포함하는, 안테나 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 일차원 전자기 밴드갭 접지 구조는, 상기 일차원 전자기 밴드갭 접지 구조를 구비하지 않는 안테나 장치와 비교하여, 더 저속 파동 거동을 가지는 더 높은 임피던스 표면으로서 동작하여, 주파수 변동에 따른 더 가파른 반사 위상의 변화를 유도하고 평면파 제어를 수행 가능하도록 구성되는, 안테나 장치
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제 3 항에 있어서, 상기 안테나 장치는, 상기 일차원 전자기 밴드갭 접지 구조 모서리의 수평 방향에서, 일차원 전자기 밴드갭 접지 구조를 구비하지 않는 안테나 장치와 비교하여 더 저속 파동 거동을 가지는 더 높은 임피던스 표면으로서 동작하여, 표면파 제어를 수행 가능하도록 구성되는, 안테나 장치
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제 5 항에 있어서, 상기 일차원 전자기 밴드갭 접지 구조는, 이중 방향의 저속 파동 거동을 띄는 고 임피던스 표면으로 동시에 동작하여, 방사체와 일차원 전자기 밴드갭 접지 구조는 λ0/30 (λ0는 자유공간에서의 파장) 이하의 거리만큼 서로 이격되고, 일차원 전자기 밴드갭 구조를 구비한 접지물의 전체 길이가 λ0/3 이내로 구성되는, 안테나 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 방사체는, 상기 일차원 전자기 밴드갭 접지 구조가 내장되어 급전부 부가 회로없이, 동축 커넥터 및 마이크로스트립 전송선로 라인을 통해 급전되는, 안테나 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 방사체와 상기 접지 레이어 반대 측에 배치되어, 상기 방사체와 상기 일차원 전자기 밴드갭 접지 구조 간의 상호 간섭을 완화시키도록 구성되는 빔 편향기를 더 포함하는, 안테나 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 안테나 장치는, 상기 빔 편향기를 구비하는 것에 의해, 상기 빔 편향기를 구비하지 않은 안테나 장치와 비교하여, 더 고 이득 종방향 방사를 수행하도록 구성되는, 안테나 장치
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제 10 항에 있어서, 상기 빔 편향기는 방사체 측에 배치되는 제 1 단계 빔 편향기 및 상기 방사체의 반대 측에 배치되는 제 2 단계 빔 편향기를 포함하며, λ0/3 이내의 안테나 길이에 구비되는 소정의 공간 및 구조 형상의 기생 평면 바 타입으로 구성되는, 안테나 장치
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