| 1 |
1
실리콘 기판에 패턴을 형성하여 실리콘 몰드를 준비하는 단계;상기 패턴을 포함한 상기 실리콘 몰드의 표면을 따라 확산방지막을 형성하는 단계;상기 패턴이 채워지도록 상기 확산방지막 상에 압전물질층을 형성하는 단계;상기 압전물질층을 저온 소결하고 상기 패턴의 상부가 노출되도록 상기 압전물질층 및 상기 확산방지막의 상부를 평탄화하는 단계;상기 확산방지막의 측면의 일부가 노출되도록 상기 실리콘 몰드의 상부를 제거하는 단계;상기 노출된 부위를 고온 소결하고 상기 실리콘 몰드가 제거된 상부에 에폭시를 형성하는 단계; 상기 실리콘 몰드의 하부를 제거하는 단계;상기 실리콘 몰드가 제거된 하부에 에폭시를 형성하는 단계; 및상기 압전물질층이 노출되도록 상기 상부 에폭시의 상면 및 상기 하부 에폭시의 하면을 평탄화하는 단계;를 포함하는,압전 어레이 소자 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 확산방지막은, Si3N4, TiN, TaN, YSZ, WN, AlN, TaN, HfN, GaN 및 SiNx로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 압전물질층은, PZT(PbZrTiO3), PZN(Pb(Zn, Nb)O3), PbTiO3, PbLaTiO3, BST(BaSrTiO3), BaTiO3, Ba4Ti3O12, SrBi2Ta2O9, SrTiO3, SBT(SrxBiyTaz), SBTN(SrxBiyTazNbw) 및 SBTT(SrxBiyTazTiw)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,압전 어레이 소자 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 실리콘 몰드의 상부를 제거하는 단계 및 상기 실리콘 몰드의 하부를 제거하는 단계는, 상기 실리콘 몰드의 상부 및 하부를 XeF2, SF6, NF3, F2 및 SiF4로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 에칭가스를 이용하여 제거하는 단계; 및상기 실리콘 몰드의 잔여 부분은 반응성 이온 에칭 공정을 이용하여 제거하는 단계;를 포함하는 것인,압전 어레이 소자 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 실리콘 몰드의 상부를 제거하는 단계 및 상기 실리콘 몰드의 하부를 제거하는 단계는, 실리콘 제거율이 2000 Å/sec 내지 3000 Å/sec인 것인, 압전 어레이 소자 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 저온 소결은 500 ℃ 내지 700 ℃의 온도범위에서 수행하고, 상기 고온 소결은 상기 압전물질층 상에 Al2O3, ZrO2, Y2O3, CaO, TiO2 및 MgO로 이루어진 물질을 증착하고, 1000 ℃ 내지 1200 ℃의 온도범위에서 수행하는 것인,압전 어레이 소자 제조방법
|
