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기판상에 하부 산화갈륨층을 형성하는 하부 산화갈륨층 형성단계;상기 하부 산화갈륨층에 금속 중간층을 형성하는 금속 중간층 형성단계;상기 금속 중간층에 상부 산화갈륨층을 형성하는 상부 산화갈륨층 형성단계; 및상기 상부 산화갈륨층을 열처리하는 열처리 단계;를 포함하는 고 투과성 자외선 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 하부 산화갈륨층 형성단계는 RF-Magnetron Sputter System을 이용하여 650 내지 750 ℃ 온도에서 20 내지 30 분 동안 수행되는 고 투과성 자외선 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 중간층 형성단계는 E-beam evaporator system을 이용하여 Ag 금속을 0
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제1항에 있어서,상기 상부 산화갈륨층 형성단계는 RF-Magnetron Sputter System을 이용하여 650 내지 750 ℃ 온도에서 10 내지 15 분 동안 수행되는 고 투과성 자외선 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리 단계는 Rapid thermal annealing system을 이용하여 질소 분위기, 650 내지 750 ℃ 온도에서 1 내지 5분 동안 수행되는 고 투과성 자외선 투명전극의 제조방법
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제2 산화갈륨을 포함하는 하부 산화갈륨층;상기 하부 산화갈륨층 상에 형성된 Ag 금속을 포함하는 금속 중간층; 및상기 금속 중간층 상에 형성된 제2 산화갈륨을 포함하는 상부 산화갈륨층;을 포함하는 고 투과성 자외선 투명전극
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