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반도체 웨이퍼에 대한 세정이 내부에서 수행되는 챔버;상기 챔버 내부에 설치되어 반도체 웨이퍼를 고정하는 거치대; 및상기 거치대에 고정된 반도체 웨이퍼의 표면에 세정액을 미스트 형태로 분사하는 분사노즐을 포함하며,상기 분사노즐은, 세정액 미스트 액적의 지름이 10~150mm 범위이고 분사압력이 1500~2500psi 범위가 되도록 분사하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치
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청구항 1에 있어서,상기 분사노즐은, 내경이 100nm ~ 1mm 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치
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청구항 1에 있어서,세정액이 선택적으로 분사되는 복수의 분사노즐을 구비하며,상기 복수의 분사노즐 각각은 미스트가 분사되는 형태가 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치
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청구항 3에 있어서,상기 분사노즐에서 미스트가 분사되는 형태가, 직선형(straight), 플랫 팬형(flat fan), 부채꼴형, 중공의 콘형(hollow cone) 및 채워진 콘형(full cone) 중에 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치
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청구항 4에 있어서,직선형 형태는, 노즐에서 액적이 퍼져나가는 스프레이 각도가 0°인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치
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청구항 4에 있어서,플랫 팬형 형태는, 노즐에서 액적이 퍼져나가는 스프레이 각도가 10~100° 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치
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청구항 4에 있어서,부채꼴형 형태는, 노즐에서 액적이 퍼져나가는 스프레이 각도가 15~125°범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치
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청구항 4에 있어서,중공의 콘형 형태는, 노즐에서 액적이 퍼져나가는 스프레이 각도가 40~165°범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치
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청구항 4에 있어서,채워진 콘형 형태는, 노즐에서 액적이 퍼져나가는 스프레이 각도가 100~180°범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치
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청구항 1에 있어서,상기 분사노즐은 미스트 분사 형태가 다른 복수의 분사노즐을 교체할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치
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