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하부 기판 상에 반복되는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;에어갭 형성막을 증착하는 단계;열처리에 의해 상기 포토레지스트를 제거하고 상기 하부 기판과 상기 에어갭 형성막 사이에 에어갭을 형성하는 단계;버퍼층을 형성하는 단계; 다이아몬드 후막을 형성하는 단계; 및상기 하부 기판으로부터 상기 다이아몬드 후막이 자가 분리되도록 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴의 모양은, 양각 또는 음각 형태로서 스트라이프, 원형, 또는 다각형의 형태를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 에어갭을 형성하는 단계에서, 상기 열처리에 의해 상기 에어갭 형성막이 상기 하부 기판과 동일한 방위로 결정화되면서 결합하고 상기 포토레지스트가 증발되어 상기 포토레지스트가 있던 위치에 상기 에어갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 에어갭의 형성에 의해, 상기 하부 기판과 이종의 상기 다이아몬드 후막 간에 격자상수 및 열팽창계수 차이로 인한 응력을 완화시키고 상기 냉각 시에 상기 다이아몬드 후막에 결함이나 크랙 발생을 저감하여 다이아몬드 기판을 획득하기 위한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 하부 기판은, Al2O3 기판, MgO 기판, Iridium 기판, Quartz 기판, Platinum 기판, SiC 기판, YSZ 기판, SrTiO3 기판, 실리콘 기판, SOI 기판 또는 3-5족 화합물 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 에어갭 형성막은, Al2O3, MgO, Iridium, Quartz, Platinum, SiC, YSZ, SrTiO3, Si 또는 3-5족 화합물 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 에어갭을 형성하는 단계에서, 상기 열처리 온도는 500 ~ 2000℃ 범위인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 에어갭 형성막이 SiC, Si, 또는 3-5족 화합물 반도체로 이루어진 경우, 상기 버퍼층을 형성하는 단계는, α-Al2O3 또는γ-Al2O3, MgO, SrTiO3, 또는 YSZ를 포함하는 금속산화물로 이루어진 산화물층, 및 Ir, Pt, 또는 Rh를 포함하는 백금족 금속이나 Ni을 포함하는 물질로 이루어진 금속층을 순차 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 에어갭 형성막이 SiC, Si, 또는 3-5족 화합물 반도체로 이루어진 경우, 상기 버퍼층을 형성하는 단계는, SiC를 포함하는 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 에어갭 형성막이 Al2O3, MgO, YSZ, Iridium, Quartz, Platinum 또는 SrTiO3로 이루어진 경우,상기 버퍼층을 형성하는 단계는, Ir, Pt, 또는 Rh를 포함하는 백금족 금속이나 Ni을 포함하는 물질로 이루어진 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는,ALD(원자층 증착법), CVD(화학 기상 증착법), 또는 PVD(물리적 기상 증착법) 장비를 이용하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 다이아몬드 후막을 형성하는 단계는,CVD(화학 기상 증착법) 장비로서 HF-CVD(hot filament-CVD), MP-CVD(microwave plasma-CVD), 또는 RF-CVD(RF plasma-CVD) 장비를 이용하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 다이아몬드 후막을 형성하는 단계는,핵밀도 105 cm-2 이상의 다이아몬드 결정 핵층을 형성하는 단계; 및상기 다이아몬드 결정 핵층 상에 단결정 다이아몬드 후막을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 기판 제조 방법
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제1항의 상기 다이아몬드 기판 제조 방법으로 제조된 다이아몬드 기판
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