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반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리

  • 기술번호 : KST2020013070
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리는, 반도체 부품 제작 공정에서 발생하는 연기나 세정액 등의 유체를 어느 한 곳에 모이게 하지 않고 골고루 분산시킬 수 있도록, 반도체 공정 챔버 내의 가공대상 부품으로부터 상측으로 이격된 위치에 설치되어 기류를 형성하는 것으로, 상기 챔버와 소통되는 유입관에 설치되어서 상기 챔버 측으로 향하는 유체의 흐름을 분산시켜 주기 위한 것으로, 상기 유입관의 중심축을 따라 관통형성된 중심유로가 형성되어 있는 메인 베인; 및 상기 메인 베인을 환형으로 감싸는 형태로 배치되어서 상기 메인 베인 또는 인접한 요소들 간의 마주하는 내면과 외면 사이에 유체가 흐를 수 있는 서브 유로를 형성시키는 적어도 하나의 서브 베인;을 포함하여 이루어지고, 상기 메인 베인과 서브 베인은, 각각 유체가 통과되는 복수의 공극들을 포함하여 이루어지고, 상측에서 하측으로 갈수록 내경이 점진적으로 커지는 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01)
출원번호/일자 1020190059580 (2019.05.21)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2155962-0000 (2020.09.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유재영 서울특별시 강남구
2 오재성 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 엄명용 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **-* ***호(서초동, 한림빌딩)(양우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0520818-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2020.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0100144-87
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0117697-00
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0576093-53
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0902010-42
9 등록결정서
Decision to grant
2020.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0603440-27
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 부품 제작 공정에서 발생하는 연기나 세정액 등의 유체를 어느 한 곳에 모이게 하지 않고 골고루 분산시킬 수 있도록, 반도체 공정 챔버 내의 가공대상 부품으로부터 상측으로 이격된 위치에 설치되어 기류를 형성하는 것으로, 상기 챔버와 소통되는 유입관에 설치되어서 상기 챔버 측으로 향하는 유체의 흐름을 분산시켜 주기 위한 것으로, 상기 유입관의 중심축을 따라 관통형성된 중심유로가 형성되어 있는 메인 베인; 및 상기 메인 베인을 환형으로 감싸는 형태로 배치되어서 상기 메인 베인 또는 인접한 요소들 간의 마주하는 내면과 외면 사이에 유체가 흐를 수 있는 서브 유로를 형성시키는 적어도 하나의 서브 베인;을 포함하여 이루어지고,상기 메인 베인과 서브 베인은, 각각 유체가 통과되는 복수의 공극들을 포함하여 이루어지고, 상측에서 하측으로 갈수록 내경이 점진적으로 커지는 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리
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제1항에 있어서,상기 공극들은, 상기 각 베인의 상측에서 하측으로 갈수록 점진적으로 커지는 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리
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제1항에 있어서,상기 각 베인을 통과한 유체가 상기 챔버 측으로 유입되기 이전에 확산될 수 있도록, 상기 챔버 내에 배치되고 유체가 통과되는 공극들이 형성되어 있으며 상기 각 베인이 결합되는 다공판;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리
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제3항에 있어서,상기 다공판은 중심에서 가장자리 측으로 갈수록 상기 챔버의 바닥면과의 연직거리가 점진적으로 길게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리
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제3항에 있어서,상기 다공판에 상기 베인이 결합된 상태로 그 다공판을 상기 챔버에 착탈 가능하게 결합시키기 위한 결합수단;을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리
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제5항에 있어서,상기 결합수단은, 상기 유입관의 챔버와 연결되는 유입구를 감싸는 형태로 상기 챔버에 고정 설치되고, 결속용 홈과 그 결속용 홈으로 상대물을 안내하기 위한 안내홈을 포함하는 결속링과, 상기 다공판에 마련되고 상기 결속링의 안내홈에 삽입된 이후 회전되는 도중 상기 결속용 홈에 결속되는 결속리브;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리
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제3항에 있어서,상기 다공판은 중심에서 가장자리 측으로 갈수록 공극이 점점 커지는 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 중앙대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 뇌/안구 체액순환 멀티스케일 CFD모델 및 이를 이용한 뇌혈관질환 등 질병 진단 시스템 개발