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자성비드 구조체를, 유기인계 화합물의 가수분해산물이 포함된 시료에 첨가하여 반응시키는 단계;자력을 도입하여 상기 유기인계 화합물의 가수분해산물이 결합된 자성비드 구조체를 추출하는 단계;상기 추출된 자성비드 구조체에 용출용액을 혼합하여 유기인계 화합물의 가수분해산물을 용출시키는 단계; 및자력을 도입하여 상기 유기인계 화합물의 가수분해산물이 용출된 자성비드 구조체를 분리하고, 상기 용출된 유기인계 화합물의 가수분해산물을 수득하는 단계;를 포함하는 것이고,상기 자성비드 구조체는, 자성비드; 및상기 자성비드와 결합된 고분자를 포함하고,상기 고분자는 말단에 작용기(R)를 포함하고, 화학식 1로 표시되는 것인,유기인계 화합물 정제용 자성비드 구조체인 것인,유기인계 화합물의 정제방법:[화학식 1]
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제1항에 있어서,상기 자성비드 구조체는,상기 자성비드를 포함하는 코어; 및상기 고분자를 포함하는 쉘;을 포함하는 코어-쉘 구조체인 것인,유기인계 화합물의 정제방법
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제1항에 있어서, 상기 작용기(R)는 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 및 화학식 5로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 작용기를 포함하는 것인,유기인계 화합물의 정제방법:[화학식 2],[화학식 3],[화학식 4],[화학식 5]
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제1항에 있어서,상기 고분자는 탄소수가 20 이상 내지 40 이하인 것인,유기인계 화합물의 정제방법
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제1항에 있어서,상기 고분자는, 단일결합 탄화수소 사슬, 헤테로 분자가 포함된 탄화수소 사슬 또는 이 둘을 포함하는 것인,유기인계 화합물의 정제방법
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제1항에 있어서,상기 자성비드는 금속 산화물을 포함하는 것인,유기인계 화합물의 정제방법
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제6항에 있어서,상기 금속 산화물은, 철, 니켈, 니오븀, 망간, 아연, 크롬 및 코발트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 산화물을 포함하는 것인,유기인계 화합물의 정제방법
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제1항에 있어서,상기 자성비드는 표면에 실리카 코팅층을 포함하는 것인,유기인계 화합물의 정제방법
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제1항에 있어서,상기 자성비드 구조체는,금속 산화물을 포함하는 자성비드를 준비하는 단계;테트라에틸 오소실리케이트를 포함하는 고분자를 준비하는 단계;상기 자성비드와 상기 고분자를 결합시키는 단계; 및상기 고분자에, 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 및 화학식 5로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 작용기를 포함하는 화합물과 반응시키는 단계;를 포함하는, 유기인계 화합물 정제용 자성비드 구조체의 제조방법으로 제조된 것인,유기인계 화합물의 정제방법:[화학식 2],[화학식 3],[화학식 4],[화학식 5]
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삭제
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제1항에 있어서,상기 용출용액은, 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 수산화리튬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,유기인계 화합물 정제방법
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