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세라믹 나노섬유 구조체; 및무기 광 촉매 코팅층을 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막으로서, 상기 세라믹 나노섬유 구조체는 제1 세라믹 성분 및 제2 세라믹 성분을 포함하고, 평균 직경이 100nm 내지 300nm이고, 결정립 크기가 5nm 내지 15nm인 세라믹 나노섬유를 포함하고, 상기 세라믹 나노섬유 간 평균 기공 크기는 0
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제1항에 있어서,상기 세라믹 나노섬유 간 최대 기공 크기는 1
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제1항에 있어서,상기 제1 세라믹 성분은 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 탄소(C), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 황(S), 염소(Cl), 칼슘(Ca), 니켈(Ni), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 인(P), 붕소(B), 스트론튬(Sr), 코발트(Co), 안티모니(Sb), 프라세오디뮴(Pr), 산소(O), 질소(N) 및 소듐(Na) 중에서 선택한 1종 이상을 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막
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제1항에 있어서,상기 제2 세라믹 성분은 규소(Si)를 포함하는 비정질 세라믹 소재; 및 티타늄(Ti), 탄소(C), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 황(S), 염소(Cl), 칼슘(Ca), 니켈(Ni), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 인(P), 붕소(B), 스트론튬(Sr), 코발트(Co), 안티모니(Sb), 프라세오디뮴(Pr), 산소(O), 질소(N) 및 소듐(Na) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막
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제1항에 있어서,상기 세라믹 나노섬유는 상기 제2 세라믹 성분을 10 내지 50몰%의 함량으로 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막
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제1항에 있어서,상기 세라믹 나노섬유는 상기 제1 세라믹 성분과 상이하며, 이트륨(Y), 탄소(C), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 황(S), 염소(Cl), 칼슘(Ca), 니켈(Ni), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 인(P), 붕소(B), 스트론튬(Sr), 코발트(Co), 안티모니(Sb), 프라세오디뮴(Pr), 산소(O), 질소(N) 및 소듐(Na) 중에서 선택된 1종 이상의 세라믹 안정화 첨가제를 더 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막
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제6항에 있어서,상기 세라믹 나노섬유는 이트리아 안정화 지르코니아-실리카를 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막
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제1항에 있어서,상기 무기 광 촉매 코팅층은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 산소(O), 규소(Si), 납(Pd), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 탄소(C), 세슘(Ce), 이트륨(Y), 망간(Mn), 주석(Sn), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 인(P), 붕소(B), 스트론튬(Sr), 코발트(Co), 안티모니(Sb), 프라세오디뮴(Pr) 및 소듐(Na) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 제1 무기 전구체와; 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 산소(O), 규소(Si), 납(Pd), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 탄소(C), 세슘(Ce), 이트륨(Y), 망간(Mn), 주석(Sn), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 인(P), 붕소(B), 스트론튬(Sr), 코발트(Co), 안티모니(Sb), 프라세오디뮴(Pr), 및 소듐(Na) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 제2 무기 전구체를 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막
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제1항에 있어서,상기 무기 광촉매 코팅층은 상기 세라믹 나노섬유 구조체를 구성하는 각각의 세라믹 나노섬유 표면에 형성되어 있는 세라믹 나노섬유 분리막
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제1항에 있어서,상기 무기 광촉매 코팅층은 1nm 내지 200nm의 두께인 세라믹 나노섬유 분리막
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제1 세라믹 전구체, 제2 세라믹 전구체 및 고분자 바인더를 포함하는 전기방사용 용액을 제조하는 단계;상기 전기방사용 용액을 전기방사하여 나노섬유를 형성하는 단계; 상기 나노섬유를 소성하여 세라믹 나노섬유 구조체를 제조하는 단계; 상기 세라믹 나노섬유 구조체를 무기 광촉매 전구체 용액에 침지하여 무기 광촉매 전구체가 코팅된 세라믹 나노섬유 구조체를 얻는 단계; 및상기 무기 광촉매 전구체가 코팅된 세라믹 나노섬유 구조체를 소성하는 단계를 포함하는제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 세라믹 나노섬유 분리막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 세라믹 나노섬유 구조체를 제조하는 단계 이후 및 상기 무기 광촉매 전구체가 코팅된 세라믹 나노섬유 구조체를 얻는 단계 이전에 상기 세라믹 나노섬유 구조체를 고분자 용액에 침지하여, 상기 세라믹 나노섬유 구조체 내부가 상기 고분자 성분으로 충진된 세라믹 나노섬유 구조체를 얻는 단계를 추가적으로 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 전기방사용 용액은 상기 제1 세라믹 전구체와 상기 제2 세라믹 전구체는 9:1 내지 5:5의 몰 비로 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 세라믹 전구체는 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 탄소(C), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 황(S), 염소(Cl), 칼슘(Ca), 니켈(Ni), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 인(P), 붕소(B), 스트론튬(Sr), 코발트(Co), 안티모니(Sb), 프라세오디뮴(Pr), 산소(O), 질소(N) 및 소듐(Na) 중에서 선택한 1종 이상을 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제2 세라믹 전구체는 규소(Si)를 포함하는 비정질 세라믹 소재; 및 티타늄(Ti), 탄소(C), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 황(S), 염소(Cl), 칼슘(Ca), 니켈(Ni), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 인(P), 붕소(B), 스트론튬(Sr), 코발트(Co), 안티모니(Sb), 프라세오디뮴(Pr), 산소(O), 질소(N) 및 소듐(Na)중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 전기방사용 용액은 세라믹 안정화 첨가제 전구체를 더 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노섬유를 소성하여 세라믹 나노섬유 구조체를 제조하는 단계로 700℃ 이상 1100℃ 이하의 온도에서 수행되는 세라믹 나노섬유 분리막의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 무기 광촉매 전구체가 코팅된 세라믹 나노섬유 구조체를 소성하는 단계는 400℃ 이상 800℃ 이하의 온도에서 수행되는 세라믹 나노섬유 분리막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 전기방사용 용액은 상기 고분자 바인더를 0
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제11항에 있어서, 상기 무기 광촉매 전구체 용액은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 산소(O), 규소(Si), 납(Pd), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 탄소(C), 세슘(Ce), 이트륨(Y), 망간(Mn), 주석(Sn), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 인(P), 붕소(B), 스트론튬(Sr), 코발트(Co), 안티모니(Sb), 프라세오디뮴(Pr) 및 소듐(Na) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 제1 무기 전구체와; 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 산소(O), 규소(Si), 납(Pd), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 탄소(C), 세슘(Ce), 이트륨(Y), 망간(Mn), 주석(Sn), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 인(P), 붕소(B), 스트론튬(Sr), 코발트(Co), 안티모니(Sb), 프라세오디뮴(Pr), 및 소듐(Na) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 제2 무기 전구체를 포함하는 세라믹 나노섬유 분리막의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 제1 무기 전구체는 0
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