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가스 내 특정 성분의 양을 센싱하는 가스센서 패키지에 있어서,기 설정된 파장 대역의 광을 조사하는 광원;상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 광원 상에 도포된 전극;상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 전극의 상부 또는 상기 전극의 사이에 도포되며, 상기 특정 성분을 센싱하여 상기 전극 간의 저항값을 가변시키는 센싱물질; 및상기 전극 상부에 도포되며, 상기 기 설정된 파장 대역의 광과 상호 작용하여 플라즈몬 공명을 발생시키는 금속 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 광원은,LED 플립칩으로 구현되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 전극은,상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 광원 내 포함된 사파이어 기판 상에 각각 도포되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 광원은,자외선 파장대역의 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 센싱물질은,산화아연(ZnO), 산화 티타늄(TiO2), 산화주석(SnO2) 및 산화인듐(In2O3) 중 일부 또는 전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 센싱물질은,상기 광원이 조사하는 광을 수광함으로써, 상기 특정 성분을 센싱하기 위해 활성화되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 입자는,자외선 파장대역의 광을 방출하는 금속 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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기 설정된 파장 대역의 광을 조사하는 광원을 이용해 가스 내 특정 성분의 양을 센싱하는 가스센서 패키지를 제조하는 방법에 있어서,상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 광원 상에 전극을 도포하는 제1 도포과정;상기 전극의 상부에 금속 나노 입자를 도포하는 제2 도포과정; 및상기 금속 나노 입자의 상부 또는 상기 전극과 상기 금속 나노 입자 사이에 상기 가스 내 특정 성분을 센싱하는 센싱물질을 도포하는 제3 도포과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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제8항에 있어서,상기 광원은,LED 플립칩으로 구현되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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제8항에 있어서,상기 광원은,자외선 파장대역의 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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제8항에 있어서,상기 센싱물질은,산화아연(ZnO), 산화 티타늄(TiO2), 산화주석(SnO2) 및 산화인듐(In2O3) 중 일부 또는 전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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제8항에 있어서,상기 센싱물질은,상기 광원이 조사하는 광을 수광함으로써, 상기 특정 성분을 센싱하기 위해 활성화되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속 나노 입자는,자외선 파장대역의 광을 방출하는 금속 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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