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기판 상에 제1전도성금속산화물층, 금속층 및 제2전도성금속산화물층을 형성하는 전극형성단계; 및 전극 상에 금속산화물을 포함하는 배리어층을 형성하는 배리어층형성단계;를 포함하는 투명전극 제조방법
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청구항 1에 있어서, 전극형성단계는 스퍼터링공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
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청구항 1에 있어서, 배리어층형성단계는 원자층증착공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
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청구항 1에 있어서, 전극형성단계는 스퍼터링공정에 의해 수행되고,배리어층형성단계는 원자층증착공정에 의해 수행되며,배리어층 형성 후에, 금속층의 금속은 제1전도성금속산화물층 및 제2전도성금속산화물층 중 적어도 하나의 층으로 확산(drift)되는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
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청구항 1에 있어서, 배리어층은 금속산화물층 및 제3전도성금속산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
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기판;기판 상에 제1전도성금속산화물층, 금속층 및 제2전도성금속산화물층을 포함하는 전극; 및전극 상에 금속산화물층 및 제3전도성금속산화물층을 포함하는 배리어층을 포함하는 투명전극
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청구항 6에 있어서, 제1전도성금속산화물층 및 제2전도성금속산화물층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), FTO(F-doped tin oxide), ATO(antimony tin oxide), AZO(ZnO:Al), GZO(ZnO:Ga) 및 a-IGZO(In2O3:Ga2O3:ZnO) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극
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청구항 6에 있어서, 제2전도성금속산화물층 및 배리어층은 동일한 금속산화물을 포함하는 특징으로 하는 투명전극
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청구항 6에 있어서, 금속층은 Ag, Cu 및 Ti 중 어느 하나인 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극
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10
청구항 6에 있어서, 배리어층은 두께가 1 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 투명전극
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기판 상에 전도성금속산화물층을 형성하는 단계;전도성금속산화물층 상에 금속층을 형성하는 단계;금속층 상에 원자층증착공정을 이용하여 금속산화물배리어층을 형성하는 단계;를 포함하는 차세대 전자소자용 투명전극 제조방법으로서, 금속산화물배리어층을 형성하는 단계에서 금속층으로부터 금속이 금속산화물배리어층으로 확산(drift)되어 투명전극의 전도성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 차세대 전자소자용 투명전극 제조방법
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플라스틱 기판;플라스틱 기판 상에 ITO층, Ag층 및 AZO층을 순차적으로 포함하는 전극; 및전극 상에 Al2O3층 및 AZO층을 포함하는 배리어층을 포함하는 투명전극
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