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기판;상기 기판 상부에 위치하며, 질화물이 증착된 제 1 반도체층;상기 제 1 반도체층 상부에 위치하며, 질화물이 복수 개의 층으로 증착되어 발광하는 제 2 반도체층; 및상기 제 2 반도체층의 측벽에 증착된 절연 물질을 포함하며, 식각에 의해 일측에 특정 패턴이 형성되어 있는 패시베이션층;을 포함하되,상기 패시베이션층에 형성되어 있는 특정 패턴은 세로로 이어진 줄무늬 모양인 것을 특징으로 하는, 마이크로 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층은, 상기 기판 상부에 위치하며, 질화 갈륨(GaN)이 도핑된 템플릿층; 및상기 템플릿층 상부에 위치하며, 규소(Si)로 도핑된 n형 질화 갈륨(n-GaN)이 증착된 n형 질화물층;을 포함하는 마이크로 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층은, 상기 제 1 반도체층 상부에 위치하며, 질화 갈륨(GaN) 및 질화 인듐 갈륨(AlGaN)으로 만든 30주기의 규소로 도핑된 초격자층;상기 초격자층 상부에 위치하며, 질화 인듐 갈륨(AlGaN) 우물과 질화 갈륨(GaN) 배리어를 포함하는 복수개의 다중 양자 우물을 포함하는 활성층;상기 활성층 상부에 위치하며, 마그네슘(Mg)으로 도핑된 질화 알루미늄 갈륨(AlGaN)이 증착된 전자 차단층;상기 전자 차단층 상부에 위치하며, 마그네슘(Mg)으로 도핑된 p형 질화 갈륨(p-GaN)이 증착된 p형 질화물층;상기 p형 질화물층 상부에 위치하며, 마그네슘(Mg)으로 도핑된 p+형 질화 갈륨(p+-GaN)이 증착된 p+형 질화물층; 및상기 p+형 질화물층 상부에 위치하며, 인듐 주석 산화물(ITO)이 증착된 투명 전극층;을 포함하는 마이크로 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층은, 상기 제 2 반도체층의 일측 측벽에 이산화 규소(SiO2)를 증착하여 생성하는 것을 특징으로 하는, 마이크로 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층은, 산화 알루미늄(Al2O3)층을 배치한 후, 이산화 규소(SiO2)를 증착하여 생성하는 것을 특징으로 하는, 마이크로 발광 다이오드
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층의 특정 패턴은,적어도 하나 이상의 줄무늬 모양인 것을 특징으로 하는, 마이크로 발광 다이오드
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8
제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층의 특정 패턴은,상기 투명 전극층으로부터 상기 초격자층까지 이어져서 형성되는 것을 특징으로 하는, 마이크로 발광 다이오드
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9
제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층의 특정 패턴은, 상기 투명 전극층으로부터 상기 활성층까지 이어져서 형성되는 것을 특징으로 하는, 마이크로 발광 다이오드
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10
제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층의 특정 패턴은, 상기 투명 전극층으로부터 상기 전자 차단층까지 이어져서 형성되는 것을 특징으로 하는, 마이크로 발광 다이오드
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11
제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층의 특정 패턴은, 상기 투명 전극층으로부터 상기 p형 질화물층까지 이어져서 형성되는 것을 특징으로 하는, 마이크로 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층의 특정 패턴은, 상기 투명 전극층으로부터 상기 p+형 질화물층까지 이어져서 형성되는 것을 특징으로 하는, 마이크로 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층의 특정 패턴은, 등변 사다리꼴의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는, 마이크로 발광 다이오드
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