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고분자 물질로 이루어진 완충층 및 상기 완충층 위에 박막으로 형성된 센서층을 포함하되,상기 센서층은상기 완충층 위에 형성되며 자구의 배열이 정렬되어 있는 자성체로 이루어지고 외력이 가해지는 부분이며 외력에 의해 변형되는 패드; 및 상기 완충층 위에 형성되며 상기 패드와 이격된 자기 센싱 소자;를 포함하며,상기 패드는 상기 외력에 의해 변형됨에 따라 상기 패드의 정렬된 자구의 배열이 흐트러지게 되면서 상기 자기 센싱 소자로 전달되는 자기장 세기가 변화하고,상기 자기 센싱 소자는 상기 패드의 변형에 의한 자기장 세기의 변화를 감지하는, 촉각 센서
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제 1 항에 있어서,상기 패드는 상기 자기 센싱 소자에 인접한 끝단으로 갈수록 뾰족한 형태인, 촉각 센서
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제 1 항에 있어서,상기 완충층 및 상기 센서층은 각각 수 nm 내지 수십 μm 범위의 두께의 박막으로 이루어지는, 촉각 센서
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제 1 항에 있어서,상기 센서층 위에 형성된 보호층을 더 포함하는, 촉각 센서
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제 6 항에 있어서,상기 보호층은 상기 완충층과 동일한 물질로 이루어지는, 촉각 센서
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탄성 중합체로 이루어진 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 고분자 물질로 이루어진 완충층을 형성하는 단계; 및상기 완충층 상에 박막으로 이루어진 센서층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 센서층은 자구의 배열이 정렬되어 있는 자성체로 이루어지며 외력이 가해지는 부분이며 외력에 의해 변형이 발생되는 패드와, 상기 패드와 이격되어 자기장 세기의 변화를 감지하는 자기 센싱 소자를 포함하고,상기 패드는 상기 외력에 의해 변형됨에 따라 상기 패드의 정렬된 자구의 배열이 흐트러지게 되면서 상기 자기 센싱 소자로 전달되는 자기장 세기가 변화하며,상기 완충층의 모듈러스(modulus) 및 열팽창 계수는 상기 기판의 모듈러스 및 열팽창 계수와 상기 센서층의 모듈러스 및 열팽창 계수 사이의 값을 가지는, 촉각 센서의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 센서층을 형성하는 단계 이후에, 상기 센서층 위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 촉각 센서의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 센서층을 형성하는 단계에서, 상기 완충층 위에 수 nm 내지 수십 μm 범위의 두께의 박막을 증착하여 상기 패드 및 상기 자기 센싱 소자를 형성하는, 촉각 센서의 제조 방법
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