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반도체 기판에 제 1 평균 농도로 불순물 이온이 주입된 제 1 영역 및 상기 불순물 이온이 주입되지 않거나 또는 상기 제 1 평균 농도보다 낮은 제 2 평균 농도로 상기 불순물 이온이 주입된 제 2 영역을 형성하는 단계;상기 반도체 기판을 산화시켜, 상기 제 1 영역의 적어도 일부에 제 1 두께를 갖는 제 1 산화층 및 상기 제 2 영역의 적어도 일부에 상기 제 1 두께보다 작은 제 2 두께를 갖는 제 2 산화층을 포함하는 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상에 멤브레인층을 형성하되, 상기 제 2 산화층 및 상기 멤브레인층 사이에 갭을 한정하도록 상기 멤브레인층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 멤브레인층은 상기 절연층의 두께가 두꺼운 부분에 의해서 지지되고,상기 갭은 상기 절연층의 두께 차이에 의해서 형성되는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 멤브레인층은 상기 제 1 산화층에 의해서 지지되는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역을 형성하는 단계는,반도체 기판 상에 상기 제 1 영역을 노출하고 상기 제 2 영역을 덮는 제 1 마스크층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 마스크층을 이온주입 보호층으로 이용하여, 상기 제 1 영역에 상기 제 1 평균 농도로 상기 불순물 이온을 주입하는 단계를 포함하는, 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 제 1 도전형으로 도핑되고,상기 불순물 이온은 상기 제 1 도전형의 반대인 제 2 도전형을 갖는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판에, 상기 제 1 평균 농도보다 높은 제 3 평균 농도로 상기 불순물 이온이 주입된 제 3 영역을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 절연층을 형성하는 단계에서, 상기 절연층은 상기 제 3 영역의 적어도 일부에 상기 1 두께보다 큰 제 3 두께의 제 3 산화층을 더 포함하도록 형성되고,상기 멤브레인층을 형성하는 단계에서, 상기 갭은 상기 제 1 산화층 및 상기 멤브레인층 사이에 더 한정되고,상기 멤브레인층은 상기 제 3 산화층에 의해서 지지되는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 반도체 기판에 상기 제 1 영역, 상기 제 2 영역 및 상기 제 3 영역을 형성하는 단계는,상기 제 1 영역 및 상기 제 3 영역을 노출하고, 상기 제 2 영역을 덮는 제 2 마스크층을 형성하는 단계;상기 제 2 마스크층을 이온주입 보호층으로 하여, 상기 제 1 영역 및 상기 제 3 영역에 상기 제 1 평균 농도로 상기 불순물 이온을 주입하는 단계;상기 제 3 영역은 노출하고, 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역을 덮는 제 3 마스크층을 형성하는 단계; 및상기 제 3 마스크층을 이온주입 보호층으로 하여 상기 제 3 영역의 이온 주입 농도가 상기 제 3 평균 농도가 되도록 상기 제 3 영역에 상기 불순물 이온을 주입하는 단계를 포함하는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 반도체 기판에서, 상기 제 3 영역의 양측 각각에 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역이 순차로 배치되는 구조가 반복되고,상기 절연층에서, 상기 제 3 산화층의 양측 각각에 상기 제 1 산화층 및 상기 제 2 산화층이 순차로 배치되는 구조가 반복되는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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8
제 5 항에 있어서,상기 반도체 기판에서, 상기 제 3 영역의 양측에 상기 제 2 영역 및 상기 제 1 영역이 각각 배치되는 구조가 반복되고,상기 절연층에서, 상기 제 3 산화층의 양측에 상기 제 2 산화층 및 상기 제 1 산화층이 각각 배치되는 구조가 반복되는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 영역을 형성하는 단계에서, 상기 제 2 영역은 상기 불순물 이온이 가운데에서 양끝으로 갈수록 그 농도가 점차 높아지도록 형성되고,상기 절연층을 형성하는 단계에서, 상기 제 2 산화층은 상기 제 2 영역의 가운데에서 양끝으로 갈수록 그 두께가 점차 커지도록 형성되는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 영역을 형성하는 단계는,상기 제 1 영역을 노출하고, 상기 제 2 영역을 덮되, 상기 제 2 영역의 가운데에서 양끝으로 갈수록 점차 두께가 얇아지는 제 4 마스크층을 형성하는 단계; 및상기 제 4 마스크층을 이온 주입 보호층으로 하여, 상기 반도체 기판에 상기 불순물 이온을 주입하는 단계를 포함하는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 멤브레인층을 형성하는 단계는,상기 멤브레인층을 포함하는 핸들 기판을 상기 반도체 기판의 상기 절연층 상에 접합하는 단계; 및상기 절연층 상에 상기 멤브레인층을 남겨두고, 상기 핸들 기판을 분리하는 단계를 포함하는, 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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12
제 1 항에 있어서,상기 멤브레인층 상에 상부 배선을 형성하고, 상기 멤브레인층 및 상기 절연층을 관통하여 상기 반도체 기판에 연결된 하부 배선을 형성하는 단계를 더 포함하는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서의 제조방법
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13
제 1 농도로 불순물 이온이 주입된 제 1 영역 및 상기 불순물 이온이 주입되지 않거나 또는 상기 제 1 농도보다 낮은 제 2 농도로 상기 불순물 이온이 주입된 제 2 영역을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판을 산화시켜 형성되고, 상기 제 1 영역의 적어도 일부에 제 1 두께를 갖는 제 1 산화층 및 상기 제 2 영역의 적어도 일부에 상기 제 1 두께보다 작은 제 2 두께를 갖는 제 2 산화층을 포함하는 절연층;상기 절연층 상에 형성된 멤브레인층을 포함하고,상기 멤브레인층은 상기 제 2 산화층 및 상기 멤브레인층 사이에 갭을 한정하도록 형성되고,상기 멤브레인층은 상기 절연층의 두께가 두꺼운 부분에 의해서 지지되고,상기 갭은 상기 절연층의 두께 차이에 의해서 형성되는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 13 항에 있어서,상기 반도체 기판은 제 1 도전형으로 도핑되고,상기 불순물 이온은 상기 제 1 도전형의 반대인 제 2 도전형을 갖고,상기 반도체 기판 및 상기 제 1 영역 사이에 제 1 전압이 인가되고,상기 반도체 기판 및 상기 멤브레인층 사이에 제 2 전압이 인가되는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 13 항에 있어서,상기 반도체 기판은 상기 제 1 농도보다 높은 제 3 농도로 상기 불순물 이온이 주입된 제 3 영역을 더 포함하고,상기 절연층은 상기 제 3 영역의 적어도 일부에 상기 1 두께보다 큰 제 3 두께의 제 3 산화층을 더 포함하고,상기 갭은 상기 제 1 절연층 및 상기 멤브레인층 사이에 더 한정되고, 상기 멤브레인층은 상기 제 3 산화층에 의해서 지지되는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 13 항에 있어서,상기 제 2 영역은 상기 불순물 이온이 가운데에서 양끝으로 갈수록 그 농도가 점차 높아지도록 형성되고,상기 제 2 산화층은 상기 제 2 영역의 가운데에서 양끝으로 갈수록 그 두께가 점차 커지도록 형성되는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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