| 1 |
1
플라스마 강화 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)부에서 전극에 의해 세기가 조절된 플라스마와 개시제를 사용하는 화학 기상 증착(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD)부로 주입되는 개시제를 이용하여 기판 상에 iPECVD 고분자 박막(Polymer thin film)을 증착하는 메인 챔버를 포함하는 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 플라스마 강화 화학 기상 증착부는상기 개시제를 사용하는 화학 기상 증착부의 상단에 위치하며, 상기 개시제를 사용하는 화학 기상 증착부로 상기 세기가 조절된 플라스마를 제공하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 플라스마 강화 화학 기상 증착부는일측면에서 내부의 진공 상태로 주입되는 산소(O2) 및 아르곤(Ar) 기체의 화학반응을 통해 고분자 박막을 형성하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 플라스마 강화 화학 기상 증착부는저전력 전극(Low power electrode)과 상기 기판 사이의 거리를 통해 플라스마의 세기를 조절하는 것을 특징으로 하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 개시제를 사용하는 화학 기상 증착부는상기 플라스마 강화 화학 기상 증착부에 의한 상기 세기가 조절된 플라스마와 일측면에서 내부로 주입되는 개시제(Initiator) 및 단량체(Monomer)를 이용하여 하부에 위치하는 상기 기판 상에 상기 iPECVD 고분자 박막을 증착하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 개시제를 사용하는 화학 기상 증착부는상부에 위치하는 필라멘트(Filaments)를 이용하여 상기 개시제를 분해하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,개시제(Initiator) 및 단량체(Monomer)를 이용하여 상기 기판에 iCVD 고분자 박막(Polymer thin film)을 증착하는 서브 챔버를 더 포함하는 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 서브 챔버는일측면에서 내부로 주입되는 개시제(Initiator) 및 단량체(Monomer)를 이용하여 하부에 위치하는 상기 기판 상에 상기 iCVD 고분자 박막을 증착하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 서브 챔버는상부에 위치하는 필라멘트(Filaments)를 이용하여 상기 개시제를 분해하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 서브 챔버는상기 메인 챔버 이후에 위치하여 상기 메인 챔버에 의해 상기 기판 상에 증착된 상기 iPECVD 고분자 박막 상에 상기 iCVD 고분자 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 iPECVD 시스템은단부측에 형성된 롤러(Roller)에 의해 상기 기판을 상기 메인 챔버에서 상기 서브 챔버로 이송하는 롤투롤(Roll-to-Roll) 방식이 적용되며, 상기 세기가 조절된 플라스마 및 상기 개시제를 이용하여 상기 기판 상에 상기 iPECVD 고분자 박막을 증착하고, 상기 개시제를 사용하는 화학 기상 증착만을 진행하여 상기 iPECVD 고분자 박막 상에 상기 iCVD 고분자 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 iPECVD 시스템은상기 메인 챔버를 이용하여 상기 롤투롤 방식의 초기 단계에만 플라스마를 노출시키는 것을 특징으로 하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 13 |
13
제7항에 있어서,상기 메인 챔버는상기 서브 챔버 이후에 위치하여 상기 서브 챔버에 의해 상기 기판 상에 증착된 상기 iCVD 고분자 박막 상에 상기 iPECVD 고분자 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 iPECVD 시스템은단부측에 형성된 롤러(Roller)에 의해 상기 기판을 상기 서브 챔버에서 상기 메인 챔버로 이송하는 롤투롤(Roll-to-Roll) 방식이 적용되며, 상기 개시제를 사용하는 화학 기상 증착만을 진행하여 상기 기판 상에 iCVD 고분자 박막을 증착하고, 상기 세기가 조절된 플라스마 및 상기 개시제를 이용하여 상기 iCVD 고분자 박막 상에 iPECVD 고분자 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 iPECVD 시스템은상기 메인 챔버를 이용하여 상기 롤투롤 방식의 초기 이후 단계에만 플라스마를 노출시키는 것을 특징으로 하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템
|
| 16 |
16
개시제 및 플라스마를 이용한 화학 기상 증착(initiated Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; iPECVD) 시스템의 동작 방법에 있어서, 플라스마 강화 화학 기상 증착 방법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)을 통해 세기가 조절된 플라스마와 개시제를 사용하는 화학 기상 증착 방법(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD)을 통해 주입되는 개시제를 이용하여 기판 상에 iPECVD 고분자 박막(Polymer thin film)을 증착하는 단계를 포함하는 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템의 동작 방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 iPECVD 고분자 박막을 증착하는 단계는저전력 전극(Low power electrode)과 상기 기판 사이의 거리를 통해 플라스마의 세기를 조절하는 것을 특징으로 하는, 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템의 동작 방법
|
| 18 |
18
제16항에 있어서,개시제(Initiator) 및 단량체(Monomer)를 이용하여 상기 기판 상에 iCVD 고분자 박막(Polymer thin film)을 증착하는 단계를 더 포함하는 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템의 동작 방법
|
| 19 |
19
제18항에 있어서,상기 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템의 동작 방법은상기 iPECVD 고분자 박막을 증착하는 단계를 이용하여 상기 기판 상에 iPECVD 고분자 박막을 증착한 이후에, 상기 iCVD 고분자 박막을 증착하는 단계를 진행하여 상기 iPECVD 고분자 박막 상에 상기 iCVD 고분자 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는, iPECVD 시스템의 동작 방법
|
| 20 |
20
제18항에 있어서,상기 개시제 및 플라스마를 이용한 CVD 시스템의 동작 방법은상기 iPECVD 고분자 박막을 증착하는 단계 이전에 상기 iCVD 고분자 박막을 증착하는 단계를 진행하여 상기 기판 상에 iCVD 고분자 박막을 증착한 이후에, 상기 iPECVD 고분자 박막을 증착하는 단계를 이용하여 상기 iCVD 고분자 박막 상에 상기 iPECVD 고분자 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는, iPECVD 시스템의 동작 방법
|
