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(a) 란타늄 전구체, 스트론튬 전구체, 티타늄 전구체 및 니켈 전구체를 용매에 용해시킨 후 초음파를 조사하면서 가열하여 혼합물을 형성하는 단계; (b) 상기 혼합물을 하소한 후 분쇄하여 펠렛을 형성하는 단계; (c) 상기 펠렛을 소결하여 소결체를 형성하는 단계; 및 (d) 상기 소결체를 환원분위기에서 환원 열처리하여, 상기 소결체에 포함된 니켈을 상기 소결체의 표면으로 석출시켜 니켈이 도핑된 금속산화물을 형성하는 단계; 를 포함하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 란타늄 전구체는 La2O3, La(NO3)36H2O, LaOCl 및 LaCl3로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 스트론튬 전구체는 SrN2O6, SrCO3 및 SrSO4로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 티타늄 전구체는 TiO2, TiCl4 및 TiOCl2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 니켈 전구체는 Ni(NO3)2, NiCl2, NiCO3, NiBr2 및 Ni2SO4로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 니켈 전구체는 상기 금속산화물의 표면으로 석출되는 니켈이 0
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 초음파 조사는 10 ~ 60 kHz 조건으로 1 ~ 60분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 하소는 1,000 ~ 1,200℃에서 6 ~ 12 시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 소결은 1,400 ~ 1,500℃에서 5 ~ 10시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 환원 열처리는 5 ~ 10 중량%의 H2 분위기에서, 800 ~ 1,000℃ 조건에서 10 ~ 20시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 니켈(Ni)은 환원 열처리에 의해 석출되어, 상기 금속산화물의 표면에 일부가 매립되도록 도핑된 것을 특징으로 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 니켈은 10 ~ 40nm의 평균 입경을 갖는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물의 제조 방법
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제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조된 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물을 이용한 고온 막반응기용 촉매
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제13항에 있어서,상기 고온 막반응기용 촉매는 800 ~ 1,000℃의 고온 작동환경에서도 특성이 변화하지 않는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물을 이용한 고온 막반응기용 촉매
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페로브스카이트 구조의 금속산화물; 및 상기 금속산화물의 표면으로 석출되어, 상기 금속산화물의 표면에 일부가 매립되도록 도핑된 니켈;을 포함하며, 상기 금속산화물은 란타늄(La), 스트론튬(Sr) 및 티타늄(Ti)을 포함하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물
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제15항에 있어서,상기 금속산화물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물
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제15항에 있어서,상기 니켈은0
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제15항에 있어서,상기 니켈은 10 ~ 40nm의 평균 입경을 갖는 것을 특징으로 하는 니켈이 도핑된 페로브스카이트 구조 금속산화물
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