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(a) 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; (b) 금속 호일 상에 그래핀을 성장시켜 그래핀층을 형성한 후, 금속 에천트를 이용하여 금속 호일로부터 그래핀층을 분리하는 단계; (c) 상기 분리된 그래핀층을 희생층 상으로 이송하여 적층하는 단계; (d) 상기 그래핀층 상에 테이핑 방식으로 β-Ga2O3 나노 플레이크 씨드를 전사하는 단계; 및 (e) 상기 그래핀층 상의 β-Ga2O3 나노 플레이크 씨드를 매개로 β-Ga2O3를 성장시켜 β-Ga2O3 박막층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 캐리어 기판은 사파이어 기판, 쿼츠 기판, GaN 기판 및 실리콘 기판 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 희생층은 SiO2인 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀층은 상기 희생층 상의 중앙 부분에 배치되어, 상기 희생층의 일부가 그래핀층의 외측으로 노출되는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀층은 0
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제1항에 있어서,상기 β-Ga2O3 나노 플레이크 씨드는 (100)면 및 (001)면 만이 테이핑 방법으로 전사된 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 β-Ga2O3 나노 플레이크 씨드는 800nm 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 β-Ga2O3 나노 플레이크 씨드는 (100)면 및 (001)면의 반치전폭(FWHM)이 500arcsec 이하를 갖는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계는, (d-1) 상기 그래핀층이 형성된 캐리어 기판과 이격된 상부에 β-Ga2O3 나노 플레이크 씨드가 부착된 테이프 기재를 위치 정렬하는 단계; 및 (d-2) 상기 테이프 기재에 부착된 β-Ga2O3 나노 플레이크 씨드를 상기 그래핀층 상에 위치 정렬시킨 상태에서 상기 테이프 기재로 눌러주면서 테이프 기재를 떼어내어 β-Ga2O3 나노 플레이크 씨드를 그래핀층 상에 전사하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (e) 단계에서, 상기 그래핀층 상의 β-Ga2O3 나노 플레이크 씨드를 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 750 ~ 900℃의 소스온도 및 800 ~ 1,100℃의 성장온도 조건으로 측면성장 방식으로 5 ~ 15분 동안 성장시켜 β-Ga2O3 박막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 β-Ga2O3 박막층의 성장시 증착 가스로는 O2 및 GaCl을 이용하되, O2 100 ~ 1,000sccm 및 GaCl 1 ~ 50sccm 조건으로 공급하는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (e) 단계에서, 상기 그래핀층과 중첩된 상부에는 β-Ga2O3 박막층이 형성되고, 상기 그래핀층의 외측으로 노출된 희생층 상에는 poly-Ga2O3 박막층이 형성되는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (e) 단계 이후, (f) 상기 캐리어 기판 상의 희생층을 제거하여, 상기 캐리어 기판으로부터 상기 그래핀층 및 β-Ga2O3 박막층을 분리하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 (f) 단계에서, 상기 희생층 제거시, 플루오르화수소(HF) 용액 및 버퍼된 산화 식각(BOE) 용액 중 선택된 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 전기적 및 열적 특성이 우수한 β-Ga2O3 박막층 제조 방법
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