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음극 집전체 본체; 및황화물계 고체전해질과 접촉하는 상기 음극 집전체 본체의 일면에 리튬 친화성 소재로 표면 처리하여 형성된 리튬 친화성 코팅층;을 포함하는 리튬금속 전고체 이차전지용 음극 집전체
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제1항에 있어서,상기 리튬 친화성 소재는 금속산화물 및 금속 중에 적어도 하나를 포함하고,상기 금속산화물은 ZnO, SnO, CuO, GeO, AgO 및 SbOx 중에 적어도 하나를 포함하고,상기 금속은 Zn, Sn, Ag, Al, Si, Ge, In, Pb, Bi 및 Sb 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬금속 전고체 이차전지용 음극 집전체
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제2항에 있어서,상기 리튬 친화성 코팅층은 상기 리튬 친화성 소재를 기상증착 및 전기도금 중에 적어도 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 리튬금속 전고체 이차전지용 음극 집전체
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제3항에 있어서,상기 리튬 친화성 코팅층은 100nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬금속 전고체 이차전지용 음극 집전체
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일면에 리튬 친화성 코팅층이 형성된 음극 집전체;상기 리튬 친화성 코팅층 위에 형성된 황화물 고체전해질;상기 황화물 고체전해질 위에 형성되는 리튬을 함유하는 양극; 및전지 포밍 과정에서 상기 양극으로부터 리튬을 받아 상기 리튬 친화성 코팅층 위에 형성되는 리튬금속 음극;을 포함하는 리튬금속 전고체 이차전지
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제5항에 있어서, 상기 음극 집전체는,일면 위에 상기 황화물 고체전해질이 형성되는 음극 집전체 본체; 및상기 음극 집전체 본체의 일면에 리튬 친화성 소재로 표면 처리하여 형성된 상기 리튬 친화성 코팅층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬금속 전고체 이차전지
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제6항에 있어서,상기 리튬 친화성 소재는 금속산화물 및 금속 중에 적어도 하나를 포함하고,상기 금속산화물은 ZnO, SnO, CuO, GeO, AgO 및 SbOx 중에 적어도 하나를 포함하고,상기 금속은 Zn, Sn, Ag, Al, Si, Ge, In, Pb, Bi 및 Sb 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬금속 전고체 이차전지
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제7항에 있어서,상기 리튬 친화성 코팅층은 상기 리튬 친화성 소재를 기상증착 및 전기도금 중에 적어도 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 리튬금속 전고체 이차전지
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제3항에 있어서,상기 리튬 친화성 코팅층은 100nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬금속 전고체 이차전지
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일면에 리튬 친화성 코팅층이 형성된 음극 집전체를 제조하는 단계;상기 리튬 친화성 코팅층 위에 황화물 고체전해질을 형성하는 단계;상기 황화물 고체전해질 위에 리튬을 함유하는 양극을 형성하는 단계; 및전지 포밍 과정에서 상기 양극으로부터 리튬을 받아 상기 리튬 친화성 코팅층 위에 리튬금속 음극을 형성하는 단계;를 포함하는 리튬금속 전고체 이차전지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 리튬 친화성 소재는 금속산화물 및 금속 중에 적어도 하나를 포함하고,상기 금속산화물은 ZnO, SnO, CuO, GeO, AgO 및 SbOx 중에 적어도 하나를 포함하고,상기 금속은 Zn, Sn, Ag, Al, Si, Ge, In, Pb, Bi 및 Sb 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬금속 전고체 이차전지의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 음극 집전체를 제조하는 단계에서,상기 리튬 친화성 코팅층은 상기 리튬 친화성 소재를 기상증착 및 전기도금 중에 적어도 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 리튬금속 전고체 이차전지의 제조 방법
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