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투명유연기판;투명유연기판 상의 금속산화물층;금속산화물층 상의 금속층;금속층 상의 그래핀층; 및그래핀층 상의 금속산화물을 포함하는 배리어층;을 포함하는 유연투명전극
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청구항 1에 있어서, 금속산화물층은, Al2O3, TiO2, SiO2, SiONx, ITO, AZO, GZO, IZO 및 FTO 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연투명전극
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청구항 1에 있어서, 금속층은, Cu, Ti, Ag, Co, Ni, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Mg, Mn, Mo, Rh,Ta, W, Ge, V 및 Zr 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연투명전극
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청구항 1에 있어서, 배리어층은, Al2O3, TiO2, SiO2, SiONx, ITO, AZO, GZO, IZO 및 FTO 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연투명전극
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청구항 1에 있어서, 금속산화물층은, 두께가 1nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 유연투명전극
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청구항 1에 있어서, 금속층은, 두께가 1nm 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 유연투명전극
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청구항 1에 있어서, 배리어층은, 두께가 1nm 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 유연투명전극
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투명유연기판 상에 스퍼터링 공정 또는 원자층증착공정으로 금속산화물층을 형성하는 단계;금속산화물층 상에 스퍼터링 공정으로 금속층을 형성하는 단계;금속층 상에 화학기상증착공정으로 그래핀층을 형성하는 단계; 및그래핀층 상에 원자층증착공정으로 배리어층을 형성하는 단계;를 포함하는 유연투명전극 제조방법
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청구항 8에 있어서, 그래핀층을 형성하는 단계는 250 내지 350℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유연투명전극 제조방법
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청구항 8에 있어서, 배리어층을 형성하는 단계는 오존기반 원자층증착공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 유연투명전극 제조방법
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청구항 1에 따른 유연투명전극을 포함하는 태양전지
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청구항 1에 따른 유연투명전극을 포함하는 OLED 소자
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