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태양 전지용 투명 박막 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020013776
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마그네트론 스퍼터링 공법(Magnetron Sputtering)과 급속열처리 공법(Rapid Thermal Annealing)으로 후열처리(Post-annealing)를 이용하여 O2 가스 주입 조절을 통해 금속산화물 Nb:TiO2-X(NTO)의 전기적 특성 향상을 위한 박막 제조방법과, 제작된 NTO 박막을 전자수송층(Electron Transport Layer, ETL)이 생략된 페로브스카이트 태양전지(Perovskite Solar Cells)에 투명 전극과 전자 수송층 역할을 동시에 수행하는 음극(Cathode)으로써 적용에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020190034946 (2019.03.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0113961 (2020.10.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.03.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 경기도 수원시 장안구
2 이재훈 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0313332-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.01.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.03.26 수리 (Accepted) 9-1-2020-0012755-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0649371-31
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-1234475-46
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1234476-92
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번호 청구항
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기판을 준비하는 단계;Ar 가스 분위기 하에서 Nb:TiO2-x 금속 산화물 타겟을 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering) 공정을 이용하여 스퍼터링하여 기판 상에 제 1 박막층을 형성하는 단계;Ar 가스 및 O2 가스 분위기 하에서 Nb:TiO2-x 금속 산화물 타겟을 마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 스퍼터링하여 상기 제 1 박막층 상에 제 2 박막층을 형성하는 단계;Ar 가스 분위기 하에서 Nb:TiO2-x 금속 산화물 타겟을 마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 스퍼터링하여 상기 제 2 박막층 상에 제 3 박막층을 형성하는 단계; 및후열처리(post annealing)를 수행하는 단계를 포함하는,태양 전지용 투명 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막층의 두께는, 상기 제 1 박막층 내지 상기 제 3 박막층의 전체 두께의 20 내지 40% 두께로 제어되는,태양 전지용 투명 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막층의 두께는, 상기 제 1 박막층 내지 상기 제 3 박막층의 전체 두께의 25 내지 35% 두께로 제어되는,태양 전지용 투명 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막층 내지 상기 제 3 박막층의 전체 두께는 200 내지 500nm인,태양 전지용 투명 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막층 내지 상기 제 3 박막층의 전체 두께는 250 내지 300nm인,태양 전지용 투명 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 태양 전지는 페로브스카이트 태양 전지인,태양 전지용 투명 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 후열처리는 급속 열처리 공법(rapid thermal annealing)으로 수행되는,태양 전지용 투명 박막의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 태양 전지용 투명 박막으로서,태양 전지의 투명 전극 및 전자 수송층 역할을 동시에 수행하는,태양 전지용 투명 박막
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 태양 전지용 투명 박막을 포함하고,상기 태양 전지용 투명 박막이 투명 전극 및 전자 수송층 역할을 동시에 수행하는,태양 전지
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 코오롱중앙기술원 신재생에너지핵심기술 전략기술개발사업 반투명 유기태양전지 모듈을 적용한 에너지 발전용 윈도우 필름 제조 기술 개발