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질소 도핑된 비정질 다공성 탄소 구조를 포함하는 커패시터형 양극재; 및다공성 탄소 나노 주형 및 상기 다공성 탄소 나노 주형에 담지된 나트륨 금속을 포함하는 나트륨 금속 음극재;를 포함하며,상기 비정질 다공성 탄소 구조는 세리신 및 KOH의 열분해 생성물이고, 상기 KOH는 세리신 질량에 대하여 10~75중량%로 포함되는 것이며,상기 다공성 탄소 나노 주형은 나노 섬유들이 얽혀 있는 나노 웹 형태의 망상 구조를 갖는, 하이브리드 커패시터
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제1항에 있어서,상기 KOH 함량에 따라 비정질 다공성 탄소 구조의 기공 특성 또는 비표면적이 달라지는, 하이브리드 커패시터
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제1항에 있어서,상기 비정질 다공성 탄소 구조는 0
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제1항에 있어서,상기 커패시터형 양극재는 물리적 흡탈착 거동을 보이는, 하이브리드 커패시터
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제1항에 있어서,상기 하이브리드 커패시터는 전하 주입을 통하여 양극 및 음극 사이의 에너지 차이를 제어하는, 하이브리드 커패시터
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제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하이브리드 커패시터는 1
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제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항의 하이브리드 커패시터를 제조하는 방법으로서, i) 세리신과 KOH를 열처리 및 활성화하여 양극재를 형성하는 단계;ii) 천연 또는 합성 고분자를 열처리하여 다공성 탄소 나노 주형을 형성하는 단계;iii) 다공성 탄소 나노 주형에 나트륨 금속을 담지하여 음극재를 형성하는 단계;를 포함하는, 하이브리드 커패시터 제조방법
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제10항에 있어서,상기 i) 단계는 상기 KOH 함량을 제어함으로써 비정질 다공성 탄소 구조의 기공 특성 또는 비표면적을 제어하는, 하이브리드 커패시터 제조방법
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제10항에 있어서,상기 천연 또는 합성 고분자는 셀룰로오스, 폴리아닐린, 폴리피롤, 및 폴리비닐클로라이드로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자를 포함하는, 하이브리드 커패시터 제조방법
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제10항에 있어서,상기 i) 단계는 500 내지 1100 ℃ 온도 범위에서 열처리 및 활성화 되는, 하이브리드 커패시터 제조방법
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