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기판, 제 1 전극, 정공수송층, 페로브스카이트 광활성층, 전자수송층, 보호층 및 제 2 전극이 순차 적층되어 형성되고,상기 보호층은 하기 화학식 1로 표시되는 벤조트리아졸 화합물을 포함하는 역구조 페로브스카이트 태양전지: [화학식 1](상기 화학식 1에서,R1 내지 R4는 동일하거나 상이할 수 있으며, 수소, C1 내지 C10 알킬, 할로젠, 알릴, 비치환 또는 치환된 C6 내지 C20 아릴, 비치환 또는 치환된 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 1개 내지 4개의 헤테로 원자를 포함하고, 나머지 고리원자는 C1 내지 C20인 헤테로아릴이고; 상기 치환된 아릴 또는 치환된 헤테로아릴은 독립적으로 히드록시, 아민, 나이트로, 시아노, 할로젠, 알릴, 비치환 또는 치환된 C1 내지 C5의 알킬 및 비치환 또는 치환된 C1 내지 C5의 알콕시로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 치환된 아릴 또는 헤테로아릴이고; L은 C1 내지 C30의 알킬렌이고; R5는 수소, 할로겐 또는 C1 내지 C10의 알킬이고; R6는 수소, C1 내지 C10의 알킬, , , 또는 이고,여기서, X1 및 X2는 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬이고, n은 1 내지 20의 정수이다
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제 4 항에 있어서,상기 벤조트리아졸 화합물은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 역구조 페로브스카이트 태양전지:[화학식 2] [화학식 3](상기 화학식 2 및 3에서, L, R5 및 R6의 정의는 화학식 1에서 정의된 것과 같고, R7은 수소, 히드록시, 아민, 나이트로, 시아노, 할로젠, 알릴, 비치환 또는 치환된 C1 내지 C5의 알킬, 및 비치환 또는 치환된 C1 내지 C5의 알콕시로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기이다
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제 4 항에 있어서,상기 벤조트리아졸 화합물은 , , , , 및 으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 역구조 페로브스카이트 태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 보호층의 두께는 1nm 내지 10nm인 것을 특징으로 하는 역구조 페로브스카이트 태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 보호층은 공액고분자 전해질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 페로브스카이트 태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 벤조트리아졸 화합물은 보호층의 총 중량을 기준으로 50중량% 내지 100중량%로 포함된 것을 특징으로 하는 역구조 페로브스카이트 태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 정공수송층은 폴리(N,N-비스(4-부틸페닐)-N,N-비스(페닐)벤지딘, 폴리싸이오펜 유도체, 다이케토피롤로피롤 유도체, 폴리(싸이에노[3,4-b]싸이오펜-알트-벤조다이싸이오펜 유도체, 폴리(페닐렌 바이닐렌) 유도체, 폴리카바졸 유도체, 폴리[비스(4-페닐)(2,4,6-트라이메틸페닐)아민, 폴리(트라이아릴 아민) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 페로브스카이트 태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 전자수송층은 플러렌, 플러렌 유도체, 페닐-C61-부티르산메틸에스테르, 페닐-C70-부티르산메틸에스테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 페로브스카이트 태양전지
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기판 상부에 제 1 전극 및 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상부에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 광흡수층 상부에 전자수송층을 형성하는 단계;상기 전자수송층 상부에 보호층을 형성하는 단계; 및상기 보호층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고 상기 보호층은 하기 화학식 1로 표시되는 벤조트리아졸 화합물을 포함하는 역구조 페로브스카이트 태양전지의 제조방법:[화학식 1](상기 화학식 1에서,R1 내지 R4는 동일하거나 상이할 수 있으며, 수소, C1 내지 C10 알킬, 할로젠, 알릴, 비치환 또는 치환된 C6 내지 C20 아릴, 비치환 또는 치환된 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 1개 내지 4개의 헤테로 원자를 포함하고, 나머지 고리원자는 C1 내지 C20인 헤테로아릴이고; 상기 치환된 아릴 또는 치환된 헤테로아릴은 독립적으로 히드록시, 아민, 나이트로, 시아노, 할로젠, 알릴, 비치환 또는 치환된 C1 내지 C5의 알킬 및 비치환 또는 치환된 C1 내지 C5의 알콕시로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 치환된 아릴 또는 헤테로아릴이고; L은 C1 내지 C30의 알킬렌이고; R5는 수소, 할로겐 또는 C1 내지 C10의 알킬이고; R6는 수소, C1 내지 C10의 알킬, , , 또는 이고,여기서, X1 및 X2는 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬이고, n은 1 내지 20의 정수이다
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제 12 항에 있어서,상기 벤조트리아졸 화합물은 , , , , 및 으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 역구조 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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