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기판;상기 기판 상에 형성된 후면전극;상기 후면전극 상에 p형 화합물과 n형 화합물이 순서대로 적층되어 형성된 반도체층;상기 반도체층 상에 형성되며 일함수 증가를 위한 원소가 도핑된 그래핀 산화물층;상기 그래핀 산화물층 상에 형성되며, 광 투과성을 가진 도전성 물질로 이루어진 투명전극층; 및상기 투명전극층 상에 형성된 전면전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 후면전극은 Mo, Pt, Pd, Ag, Au, Ni, Ti, Cr, Al 및 Cu 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 p형 화합물은 Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4, Cu2SnS3, Cu2SnSe3, CuInS2, CuGaS2, CuInSe2, CuGaSe2, Si, GaAs, InP, CdTe 및 PbSe 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 n형 화합물은 Cds, ZnS, ZnO, SnO2, In2S3 및 In2O3 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀 산화물에 도핑된 원소는 H, F, Li, Au, Fe, Na, K, Rb, Ca, Sr, Cs, Al, Ti 및 Mg 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 도전성 물질은 ZnO, Al-ZnO, GaZnO 및 InSnO 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 상면전극은 Mo, Pt, Ag, Au, Ni 및 Al 중 어느 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지
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기판 상에 후면전극을 형성하는 단계;상기 후면전극 상에 n형 화합물과 p형 화합물을 적층하여 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 형성하는 단계;상기 그래핀 산화물층 상에 투명전극층을 형성하는 단계; 및상기 투명전극층 상에 전면전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계;는상기 후면전극 상에 p형 화합물 전구체를 증착하는 단계;상기 p형 화합물 전구체를 열처리하는 단계;열처리된 상기 p형 화합물 전구체에 n형 금속 화합물을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지 제조 방법
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제 9 항에 있어서상기 p형 화합물은 400℃~600℃에서 열처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 후면전극은 Mo, Pt, Pd, Ag, Au, Ni, Ti, Cr, Al 및 Cu 중 어느 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 p형 화합물은 Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4, Cu2SnS3, Cu2SnSe3, CuInS2, CuGaS2, CuInSe2, CuGaSe2, Si, GaAs, InP, CdTe 및 Pbse 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 n형 화합물은 Cds, ZnS, ZnO, SnO2, In2S3 및 In2O3 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 그래핀 산화물에 도핑된 원소는 H, F, Li, Au, Fe, Na, K, Rb, Ca, Sr, Cs, Al, Ti 및 Mg 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 도전성 물질은 ZnO, Al-ZnO, GaZnO 및 InSnO 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 원소가 도핑된 그래핀 산화물층을 갖는 무기 박막 태양전지 제조 방법
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