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광소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020014077
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 서브칩, 및 상기 제1 서브칩 상에 플립된 제2 서브칩을 포함한다. 상기 제1 서브칩은, 제1 기판, 상기 제1 기판의 제1 면 상의 제1 하부 클래드 패턴, 및 상기 제1 하부 클래드 패턴 상의 제1 코어층을 포함하고, 상기 제2 서브칩은, 제2 기판, 상기 제2 기판의 제2 면 상의 제2 하부 클래드 패턴, 및 상기 제2 하부 클래드 패턴 상의 제2 코어층을 포함하며, 상기 제1 기판의 상기 제1 면은 상기 제2 기판의 상기 제2 면을 마주보고, 상기 제1 하부 클래드 패턴은, 상기 제1 면에 평행한 제1 상면, 및 상기 제1 면에 대해 경사진 제1 측벽을 갖고, 상기 제1 코어층은, 상기 제1 상면 상의 제1 코어부 및 상기 제1 측벽 상의 제1 사이드부를 포함한다.
Int. CL G02B 6/122 (2006.01.01)
CPC G02B 6/122(2013.01)
출원번호/일자 1020190040147 (2019.04.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0118313 (2020.10.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이한석 대전 유성구
2 김대곤 대전 유성구
3 한상윤 대전 유성구
4 황준혁 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0351835-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 서브칩, 및 상기 제1 서브칩 상에 플립된 제2 서브칩을 포함하되,상기 제1 서브칩은, 제1 기판, 상기 제1 기판의 제1 면 상의 제1 하부 클래드 패턴, 및 상기 제1 하부 클래드 패턴 상의 제1 코어층을 포함하고,상기 제2 서브칩은, 제2 기판, 상기 제2 기판의 제2 면 상의 제2 하부 클래드 패턴, 및 상기 제2 하부 클래드 패턴 상의 제2 코어층을 포함하며,상기 제1 기판의 상기 제1 면은 상기 제2 기판의 상기 제2 면을 마주보고,상기 제1 하부 클래드 패턴은, 상기 제1 면에 평행한 제1 상면, 및 상기 제1 면에 대해 경사진 제1 측벽을 갖고,상기 제1 코어층은, 상기 제1 상면 상의 제1 코어부 및 상기 제1 측벽 상의 제1 사이드부를 포함하는 광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 제2 하부 클래드 패턴은, 상기 제2 면에 평행한 제2 상면, 및 상기 제2 면에 대해 경사진 제2 측벽을 갖고,상기 제2 코어층은, 상기 제2 상면 상의 제2 코어부 및 상기 제2 측벽 상의 제2 사이드부를 포함하며,상기 제1 코어부는 상기 제2 코어부에 인접하는 광소자
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 사이드부의 적어도 일부는 상기 제2 사이드부의 적어도 일부와 수직적으로 중첩되는 광소자
4 4
제2항에 있어서,상기 제1 측벽과 상기 제1 면은 제1 각도를 이루고,상기 제2 측벽과 상기 제2 면은 제2 각도를 이루며,상기 제1 각도와 상기 제2 각도는 서로 실질적으로 동일한 광소자
5 5
제2항에 있어서,상기 제1 측벽과 상기 제1 면은 제1 각도를 이루고,상기 제2 측벽과 상기 제2 면은 제2 각도를 이루며,상기 제1 각도와 상기 제2 각도는 서로 다른 광소자
6 6
제2항에 있어서,상기 제2 코어부의 최하부면의 레벨은, 상기 제1 코어부의 최상부면의 레벨보다 높은 광소자
7 7
제2항에 있어서,상기 제2 코어부의 최하부면의 레벨은, 상기 제1 상면의 레벨보다 높고 상기 제1 코어부의 최상부면의 레벨보다 낮은 광소자
8 8
제1항에 있어서,상기 제1 코어부는 제1 두께를 갖고,상기 제1 사이드부는 상기 제1 측벽에 수직한 방향으로 제2 두께를 가지며,상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 큰 광소자
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 코어부는 상기 제1 면에 수직한 방향으로 제1 증착 두께를 갖고,상기 제1 사이드부는 상기 제1 면에 수직한 방향으로 제2 증착 두께를 가지며,상기 제1 증착 두께와 상기 제2 증착 두께는 서로 실질적으로 동일한 광소자
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 코어층 및 상기 제2 코어층 중 적어도 하나는 칼코게나이드 유리를 포함하는 광소자
11 11
제1 서브칩, 및 상기 제1 서브칩 상에 플립된 제2 서브칩을 포함하되,상기 제1 서브칩은, 제1 기판, 상기 제1 기판의 제1 면 상의 제1 하부 클래드 패턴, 및 상기 제1 하부 클래드 패턴 상의 제1 코어층을 포함하고,상기 제2 서브칩은, 제2 기판, 상기 제2 기판의 제2 면 상의 제2 하부 클래드 패턴, 및 상기 제2 하부 클래드 패턴 상의 제2 코어층을 포함하며,상기 제1 기판의 상기 제1 면은 상기 제2 기판의 상기 제2 면을 마주보고,상기 제1 하부 클래드 패턴의 폭은 상기 제2 기판으로 갈수록 감소하고,상기 제2 하부 클래드 패턴의 폭은 상기 제1 기판으로 갈수록 감소하며,상기 제1 코어층의 코어부는 상기 제2 코어층의 코어부에 인접하는 광소자
12 12
제11항에 있어서,상기 제1 코어층의 코어부와 상기 제2 코어층의 코어부간에 광결합이 발생하는 광소자
13 13
제11항에 있어서,상기 제1 코어층은, 상기 제1 하부 클래드 패턴의 상면 상의 상기 코어부 및 상기 제1 하부 클래드 패턴의 측벽 상의 사이드부를 포함하고,상기 코어부는 제1 두께를 갖고,상기 사이드부는 상기 제1 하부 클래드 패턴의 상기 측벽에 수직한 방향으로 제2 두께를 가지며,상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 큰 광소자
14 14
제13항에 있어서,상기 코어부는 상기 제1 면에 수직한 방향으로 제1 증착 두께를 갖고,상기 사이드부는 상기 제1 면에 수직한 방향으로 제2 증착 두께를 가지며,상기 제1 증착 두께와 상기 제2 증착 두께는 서로 실질적으로 동일한 광소자
15 15
제11항에 있어서,상기 제1 코어층의 상기 코어부는 제1 방향으로 제1 폭을 갖고,상기 제2 코어층의 상기 코어부는 상기 제1 방향으로 제2 폭을 갖고,상기 제1 코어층의 상기 코어부는 상기 제2 코어층의 상기 코어부로부터 상기 제1 방향으로 제1 거리만큼 오프셋되며,상기 제1 거리는 상기 제1 폭보다 큰 광소자
16 16
제11항에 있어서,상기 제1 코어층의 상기 코어부는 제1 방향으로 제1 폭을 갖고,상기 제2 코어층의 상기 코어부는 상기 제1 방향으로 제2 폭을 갖고,상기 제1 코어층의 상기 코어부는 상기 제2 코어층의 상기 코어부로부터 상기 제1 방향으로 제1 거리만큼 오프셋되며,상기 제1 거리는 상기 제1 폭보다 작은 광소자
17 17
기판 상의 하부 클래드 패턴; 및상기 하부 클래드 패턴 상의 코어층을 포함하되,상기 하부 클래드 패턴은, 상기 기판의 상면에 평행한 상면, 및 상기 기판의 상기 상면에 대해 경사진 측벽을 갖고,상기 코어층은, 상기 하부 클래드 패턴의 상기 상면 상의 코어부 및 상기 하부 클래드 패턴의 상기 측벽 상의 사이드부를 갖고,상기 코어층은, 제1 코어층 및 제2 코어층을 포함하며,상기 코어부의 상기 제1 코어층은 제1 두께를 갖고,상기 사이드부의 상기 제1 코어층은, 상기 측벽에 수직한 방향으로 제2 두께를 가지며,상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 큰 광소자
18 18
제17항에 있어서,상기 코어부의 상기 제2 코어층은 제3 두께를 갖고,상기 사이드부의 상기 제2 코어층은, 상기 측벽에 수직한 방향으로 제4 두께를 가지며,상기 제3 두께는 상기 제4 두께보다 큰 광소자
19 19
제17항에 있어서,상기 코어부의 상기 제2 코어층은 제3 두께를 갖고,상기 사이드부의 상기 제2 코어층은, 상기 측벽에 수직한 방향으로 제4 두께를 가지며,상기 제3 두께와 상기 제4 두께는 서로 실질적으로 동일한 광소자
20 20
제17항에 있어서,상기 기판의 상부에 정의된 리세스 상의 주변 코어층을 더 포함하되,상기 주변 코어층은 상기 코어층과 이격된 광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업체 KAIST 산업체연구개발사업 칼코게나이드 유리 혼성 구조 기반 고성능 중적외선 온 칩 센싱