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역오팔 구조체; 및 상기 역오팔 구조체에 포함된 플라즈모닉 나노 입자;를 포함하는, 플라즈모닉 역오팔 구조체
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 나노 입자는 역오팔 구조체의 골격에 전기화학적 증착법으로 형성된 것인, 플라즈모닉 역오팔 구조체
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제1항에 있어서,상기 역오팔 구조체는 TiO2, CeO2, SiO2, ZnO2, SnO2, V2O5, Fe2O3, SiC로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상으로 이루어지는 것인, 플라즈모닉 역오팔 구조체
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 나노입자는 Au, Ag, Pd, Pt, Al, Cu, 및 Ni로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 둘 이상의 합금인, 플라즈모닉 역오팔 구조체
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 나노입자는 3 내지 1000 nm의 크기를 가지는 것인, 플라즈모닉 역오팔 구조체
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 나노입자는 구, 막대, 타원체, 덴드리머, 사면체, 육면체, 팔면체, 2차원 사각형 및 2차원 삼각형 형상으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 형상을 갖는 것인, 플라즈모닉 역오팔 구조체
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전기화학적 증착법을 통하여 역오팔 구조체에 플라즈모닉 나노 입자를 형성하는, 플라즈모닉 역오팔 구조체 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 방법은, 역오팔 구조체를 금속 전구체 용액에 제공하는 단계; 상기 역오팔 구조체를 포함하는 금속 전구체 용액에 전압을 인가하는 단계; 및 역오팔 구조체를 용액에서 꺼내고 세척하는 단계;를 포함하는, 플라즈모닉 역오팔 구조체 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 금속 전구체 용액은 Au, Ag, Pd, Pt, Al, Cu, 및 Ni로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속의 전구체 용액 또는 해당 금속 전구체 용액을 포함하는 혼합액인, 플라즈모닉 역오팔 구조체 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 방법은, 상기 금속 전구체 용액의 농도 조절을 통하여 플라즈모닉 나노 입자의 크기를 조절하는 것인, 플라즈모닉 역오팔 구조체 제조 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 플라즈모닉 역오팔 구조체를 포함하는, 표면증강라만분광 기반 분자 검출 장치
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제11항에 있어서,상기 장치는, 상기 플라즈모닉 역오팔 구조체를 포함하는 분자 검출부; 및 표면증강라만분광 기반 분자 검출을 위한 광원을 포함하는 광조사부;를 포함하는 것인, 표면증강라만분광 기반 분자 검출 장치
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13
제12항에 있어서,상기 장치는, 검출 대상 분자를 포함하는 것이고, 상기 검출 대상 분자는 액상 또는 기상에 존재하는 분자인, 표면증강라만분광 기반 분자 검출 장치
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14
플라즈모닉 역오팔 구조체를 이용하여 검출 대상 분자를 검출하는, 표면증강라만분광 기반 분자 검출 방법
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제14항에 있어서,상기 방법은, 상기 플라즈모닉 역오팔 구조체를 검출하고자 하는 검출 대상 분자에 노출시키는 단계; 플라즈모닉 역오팔 구조체 내부의 플라즈모닉 나노입자 주변으로 검출 대상 분자를 확산 이동시키는 단계; 및 상기 플라즈모닉 역오팔 구조체에 광원을 조사하여 방출되는 표면증강라만산란 신호로부터 검출 대상 분자를 검출하는 단계;를 포함하는, 표면증강라만분광 기반 분자 검출 방법
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