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성장기판 배치 단계;상기 성장기판 상에 복수의 층으로 구성되는 에피층(epitaxial layer)을 증착하는 단계;상기 에피층을 분리하고 단위 LED 칩을 형성하는 단계를 포함하며,상기 에피층을 증착하는 단계에서 상기 에피층 상에 형성된 전위의 상기단위 LED 칩으로의 도달을 방지하도록 상기 단위 LED 칩이 형성될 영역에 대응되는 상기 에피층 내의 영역에 전위성장방지 마스크를 배치하는 과정을 수행하고, 상기 전위성장방지 마스크의 너비는 상기 단위 LED 칩의 너비 이상인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 에피층을 증착하는 단계는상기 성장기판 상에 버퍼층을 증착하는 단계;상기 버퍼층 상에 제1도전형 반도체층을 증착하는 단계;상기 제1도전형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및,상기 활성층 상에 제2도전형 반도체층을 증착하는 단계를 포함하며,상기 버퍼층을 증착하는 단계에서 상기 단위 LED 칩이 형성될 영역에 대응되는 상기 버퍼층 내의 영역에 상기 전위성장방지 마스크를 배치하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 버퍼층을 증착하는 단계는,상기 버퍼층에 형성되는 전위가 상기 성장기판과 상기 버퍼층의 경계면에 수직한 방향으로 성장하도록 상기 버퍼층을 증착하는 제1 수직전위 성장단계;상기 버퍼층에 형성되는 전위가 상기 성장기판과 상기 버퍼층의 경계면에 수평한 방향으로 성장하도록 상기 버퍼층을 증착하는 수평전위 성장단계; 및,상기 수평전위 성장단계에서 성장한 복수의 전위가 연결 및 결합되고, 상기 복수의 전위가 결합되어 형성된 결합전위가 상기 성장기판과 상기 버퍼층의 경계면에 수직한 방향으로 성장하도록 상기 버퍼층을 증착하는 제2 수직전위 성장단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 버퍼층 중 상기 전위성장방지 마스크의 중앙 상부 영역에 상기 버퍼층 및 상기 성장기판의 경계면에 수직한 방향으로 상기 결합전위가 형성되며, 상기 단위 LED 칩은 상기 결합전위가 형성된 영역을 경계로 분리되어 복수 개 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 방법
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제4항에 있어서,복수의 상기 단위 LED 칩은 상기 결합전위가 형성된 영역을 경계로 분리되어 열을 형성하며 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 방법
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제4항에 있어서, 복수의 상기 LED 칩은 상기 결합전위가 형성된 영역을 경계로 분리되어 네 개의 단위 LED 칩이 정사각 형태를 이루도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 버퍼층은 도핑되지 않은 GaN(Galium Nitride) 층인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 방법
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제1항에 있어,상기 발광 다이오드는 측면형 LED 구조(Lateral type)인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 방법
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제1항에 있어,상기 발광 다이오드는 수직형 LED 구조(Vertical type)인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 방법
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제1항에 있어,상기 전위성장방지 마스크는 SiO2로 제조된 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 방법
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제1항의 마이크로 LED 제조 방법에 의해 제조된 마이크로 LED
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