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파장을 변환시키는 금속 나노 패턴층을 갖는 발광 다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020014182
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 파장을 변환시키는 금속 나노 패턴층을 갖는 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판; 상기 기판 위에 형성되며, n형 도펀트로 도핑된 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층의 상부에 형성되며, 다중양자우물 구조를 갖는 활성층; 상기 활성층의 상부에 형성되며, p형 도펀트로 도핑된 제2 반도체층; 및 상기 제2 반도체층의 상면에 형성되는 금속 나노 패턴층을 포함하고, 상기 금속 나노 패턴층은 절연막 및 금속 입자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED를 제공한다.
Int. CL H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/50 (2010.01.01) H01L 33/24 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01)
출원번호/일자 1020190037793 (2019.04.01)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-2172365-0000 (2020.10.26)
공개번호/일자 10-2020-0116255 (2020.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20201030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.04.03)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안수창 광주광역시 북구
2 김상묵 광주광역시 서구
3 장영훈 광주광역시 광산구
4 박진영 광주광역시 광산구
5 김길성 전라북도 전주시 덕진구
6 김재훈 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 *** A동, ***호(태정특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0331780-17
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0341472-49
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.01.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0052077-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0318446-93
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0687168-13
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0687085-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
10 면담 결과 기록서
 2020.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0100699-04
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0787589-33
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0787612-07
13 등록결정서
Decision to grant		 2020.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0642693-19
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번호 청구항
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금속 나노 패턴층을 포함하며 전극에 결합되는 LED를 제조방법에 있어서,기판, 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하는 반도체층을 준비하는 준비과정;상기 반도체층을 NH4OH, H2O2 및 H2O가 기 설정된 비율로 구성된 용액으로 기 설정된 시간동안 세정하는 세정과정;상기 제2 반도체층의 상면에 점성을 갖는 액체 상태의 나노 입자를 증착시키는 나노 입자 증착과정;상기 나노 입자를 정렬시킨 후, 열을 이용해 큐어링(Curing)시켜 점성을 제거하여 단일층 형태의 나노 입자층을 형성시키는 나노 입자층 형성과정;상기 나노 입자층이 형성된 제2 반도체층의 상면에 절연막을 증착시키는 절연막 증착과정;상기 나노 입자층 및 상기 절연막이 형성된 상기 제2 반도체층의 상면에 금속 입자층을 증착시키는 금속 입자층 증착과정;상기 제2 반도체층의 상면에 증착된 나노 입자층을 제거하는 나노 입자층 제거과정;상기 나노 입자층 제거과정을 거친 후, NMP 용매 또는 아세톤과 IPA(Isopropyl Alcohol) 용액에 기 설정된 시간동안 세정한 후, 질소 가스에 의해 건조되는 건조과정;상기 제1 반도체층을 기 설정된 깊이로 식각하는 식각과정;기 설정된 깊이로 식각된 제1 반도체층의 상면에 n형 전극을 도포하는 제1 도포과정;제2 반도체층의 상면에 p형 전극을 도포하는 제2 도포과정;상기 n형 전극 및 상기 p형 전극이 도포된 LED를 서브 기판에 본딩하는 본딩과정; 및LED를 전극 와이어로 상기 서브 기판과 전기적으로 연결시키는 연결과정을 포함하고,상기 절연막은 이온빔 스퍼터링(Ion Beam Sputtering) 또는 플라즈마 화학기상증착법(PECVD) 방식에 의해 상기 나노 입자층이 형성된 제2 반도체층의 상면에 증착되고,상기 절연막은 상기 나노 입자층을 둘러싸며, 상기 나노 입자층 사이에 형성된 빈공간에 증착되고,상기 서브 기판의 상면에는 전극패드가 결합되어 있고,상기 n형 전극 및 상기 p형 전극은 솔더(Solder)에 의해 상기 전극패드에 본딩되는 것을 특징으로 하는 금속 나노 패턴층을 포함하는 LED 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소벤처기업부 한국광기술원 지역주력산업육성 기업지원사업 고부가가치 신규시장 확대를 위한 광융합산업 기술지원사업