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기판;상기 기판 상에 배치되며, 제1 물질을 포함하는 차폐층;상기 차폐층 내에 매립되며, 상기 제1 물질의 방사성 동위원소인 제2 물질을 포함하는 소스층;상기 차폐층 및 상기 소스층 상의 PN접합층; 및상기 PN접합층과 상기 소스층 사이의 윈도우층을 포함하는 방사성 동위원소 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 물질은 니켈-62(62Ni)을 포함하고, 상기 제2 물질은 니켈-63(63Ni)을 포함하는 방사성 동위원소 전지
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제1 항에 있어서,상기 차폐층은 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Depostition) 공정에 의해 형성된 니켈-62(62Ni)을 포함하고, 상기 소스층은 LPCVD 공정에 의해 형성된 니켈-63(63Ni)을 포함하는 방사성 동위원소 전지
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4
제1 항에 있어서,상기 차폐층은 상기 기판을 향하여 함몰된 트랜치를 포함하고,상기 소스층 및 상기 윈도우층은 상기 트랜치의 내에 배치되는 방사성 동위원소 전지
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5
제1 항에 있어서,상기 PN접합층은 순차적으로 적층된 n형 반도체층, n-형 반도체층 및 p-형 반도체층을 포함하는 방사성 동위원소 전지
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6
제1 항에 있어서,상기 차폐층과 상기 PN접합층의 사이에 배치되어 상기 PN접합층에 접속되는 전극을 포함하고, 상기 전극은 상기 윈도우층을 둘러싸는 방사성 동위원소 전지
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7
제6 항에 있어서,상기 윈도우층의 하면은 상기 전극의 하면에 비해 낮은 레벨에 위치하는 방사성 동위원소 전지
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8
제6 항에 있어서,상기 전극과 상기 차폐층의 사이에 배치되어 상기 윈도우층을 둘러싸는 절연층을 포함하는 방사성 동위원소 전지
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9
제1 항에 있어서,상기 소스층은 상기 기판을 향하여 함몰된 함몰부를 포함하는 방사성 동위원소 전지
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10
기판 상에 배치되며, 상기 기판을 향하여 함몰된 트랜치를 갖는 차폐층;상기 트랜치 내에 배치되며, 방사성 핵종(radionuclide)을 포함하는 소스층;상기 차폐층 및 상기 소스층 상의 PN접합층;상기 PN접합층과 상기 소스층 사이의 윈도우층; 및상기 PN접합층과 상기 차폐층 사이에 배치된 제1 전극을 포함하는 방사성 동위원소 전지
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11
제10 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 윈도우층을 둘러싸는 방사성 동위원소 전지
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12
제10 항에 있어서,상기 윈도우층의 하면은 상기 제1 전극의 하면에 비해 낮은 레벨에 위치하는 방사성 동위원소 전지
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13
제10 항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 차폐층의 사이에 배치되어 상기 윈도우층을 둘러싸는 절연층을 더 포함하는 방사성 동위원소 전지
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제10 항에 있어서,상기 차폐층은 니켈-62(62Ni)을 포함하고, 상기 소스층은 니켈-63(63Ni)을 포함하는 방사성 동위원소 전지
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제10 항에 있어서,상기 차폐층은 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Depostition) 공정에 의해 형성된 니켈-62(62Ni)을 포함하고, 상기 소스층은 LPCVD 공정에 의해 형성된 니켈-63(63Ni)을 포함하는 방사성 동위원소 전지
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제10 항에 있어서,상기 PN접합층은 순차적으로 적층된 n형 반도체층, n-형 반도체층 및 p-형 반도체층을 포함하는 방사성 동위원소 전지
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