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탄화수소계 고분자 기재; 및하기 화학식 1로 표시되는 다면체 실세스퀴옥산을 함유하는 첨가제를 포함하는, 고분자 전해질 조성물:[화학식 1];상기 화학식 1에서,상기 A는 각각 독립적으로 -NH2임
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 전해질 조성물은 30% RH 내지 100% RH의 가습 환경에서 양성자를 전달하는 것인, 고분자 전해질 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 다면체 실세스퀴옥산의 함량은 상기 고분자 전해질 조성물의 전체 100 중량부를 기준으로 0
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제 1 항에 있어서,상기 다면체 실세스퀴옥산의 입자의 크기가 1
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제 1 항에 있어서,상기 탄화수소계 고분자는 측쇄에 술폰산기(SO3H), 인산기(PO4H2) 또는 탄산기(COOH)를 포함하는 것인, 고분자 전해질 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 탄화수소계 고분자는 술폰화 폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyetheretherketone (sPEEK)), 술폰화 폴리에테르케톤(sulfonated polyetherketone (sPEK)), 술폰화 폴리에테르술폰(sulfonated polyethersulfone (sPES)) 또는 술폰화 폴리아릴렌에테르술폰(sulfonated polyarylethersulfone (sPAES))를 포함하는 것인, 고분자 전해질 조성물
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제 6 항에 있어서,상기 탄화수소계 고분자는 술폰화도가 50% 내지 80%인 것인, 고분자 전해질 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 탄화수소계 고분자 기재에 의해 형성되는 나노채널의 크기가 20 nm 이하인 것인, 고분자 전해질 조성물
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 고분자 전해질 조성물을 포함하는, 양성자 전도성 나노복합막
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제 9 항에 따른 양성자 전도성 나노복합막을 포함하는, 연료전지
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